4h-sic埋mosfet击穿特性模拟研究.pdfVIP

摘要 摘要 碳化硅材料有着包括禁带宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度快等等物理性 质方面的优势，这决定了碳化硅材料在高温、高频、高辐射等这些相对极端的环 境下发挥重要的作用。同时，埋沟MOSFET （在SiO /SiC界面注入一层N型掺杂层） 2 的出现很好地避免了SiC/SiO 界面对载流子输运的影响。为了更好地发挥碳化硅 2 埋沟MOSFET在功率性能的优势和潜力，必须对器件的电学击穿特性进行较为深 入的模拟研究。本文的主要工作有： 研究了 4H-SiC 埋沟 MOSFET 的基本结构模型及其参数，其中主要包括迁移 率模型及其参数、不完全电离模型和碰撞离化模型，验证了器件的工作机理，讨 论了器件的基本特性，验证了埋沟 MOSFET 相对传统 MOSFET 的优势；研究了 4H-SiC 埋沟 MOSFET 的高温特性。为接下来讨论 4H-SiC 埋沟 MOSFET 的击穿 特性奠定了基础。 为正确地模拟 4H-SiC 埋沟 MO