gan基异质结高电子迁移率晶体管的关键机理研究.pdf

摘 要 摘 要 0aN高电子迁移率晶体管(HEMD器件已表现出了出色的微波功率性能，但大 量基础性的机理问题仍没有研究清楚．本文正是在此背景下对GaN基异质结中量 子化二维电子气(2DEG)的载流子分布和迁移率、体电子的性质、电子体系的温度 特性等问题进行了广泛而深入的研究，对QIN基HEMT器件的二维仿真以及DC 电流不稳定性的表征和仿真等问题进行了探索．主要的研究工作和成果如下： 1．实现了对GaN基异质结能带和载流子分布的一维自洽模拟。 实现了一个数值求解自洽薛定谔——泊松方程模型的一维模拟器并应用于 QIN基异质结。在迭代求解算法中纳入了在相关数值物理模型和数学求解策略方 面已有的研究成果，形成新的求解策略；在对电子体系的考量方面，同时考虑了 2DEG和体电子，与实际情形更接近；在选取边界条件方面，对相关的一些基本的 物理问题如OaN基异质结中极化效应的屏蔽情形，泊松方程可能的边界条件及各 种边界条件之间的等效性等作了深入的分析，同时对GaN基异质结中表面态与 2DEG电子来源的关系提出了新的看法。 2．研究了G{IN基异质结的极化效应在各种结构中的作用。 研究并说明了A