mems中多孔基本特性及绝热性能研究.pdfVIP

中文摘要 1990年以来，多孔硅材料因为其出色的发光性能开始受到研究者的重视。 近一段时期，随着微电子机械系统(MEMS)的发展，多孔硅优良的机械性能和热 学性能也逐渐引起大家的关注，成为MEMS中新兴的牺牲层和绝热层材料。 本论文主要针对多孔硅材料基本特性、应力状况及其在MEMS中作为绝热 层应用进行了研究。 本文分别采用双槽电化学腐蚀法、原电池腐蚀法制备了多孔硅样品，对多孔 硅一些基本特性作了深入探讨，主要包括：孔隙率、腐蚀速率的影响因素；材料 表面以及断面形貌的分析、孔径尺寸、孔壁厚度等。通过实验发现：多孔硅层孔 洞分布均匀，孔径尺寸在15-50rim范围内，属于介孔硅；电化学腐蚀法制备多 孔硅的腐蚀速率在腐蚀前期阶段基本是一定值，但到腐蚀后期阶段随着厚度的增 加腐蚀速率有所下降；对于不同鹰蚀电流密度，多孔硅孔隙率都有随腐蚀时间的 延长先增加后降低的趋势。 为了适应在大尺寸硅片上制备多孔硅的要求，对原电池法制备多孔硅进行了 初步研究。主要讨论了背电极制备条件对多孔硅性能的影响，发现增加背电极的 厚度对改善多孔硅的均匀性及减小其孔径尺寸有一定的作用，增加Pt电极与腐 蚀面积的比值可以有效增大腐蚀厚度。 采用显微拉曼光谱法对多孔硅残余应力进行了测量