sol-gel制备的plzt薄膜的光电特性研究.pdf

摘要 Sol。Gel法制备的PLZT薄膜光电特性研究 摘要 锆钛酸铅镧(PLZT)材料具有介电常数大、自发极化强、电光系数高、 与现有的集成工艺相兼容等特点，因而在集成铁电学以及集成光学特别是 光通信器件领域有着非常好的应用前景。PLZT材料可以用于制作光通信 器件，如高速光开关、可调谐滤波器以及宽带光调制器等。在过去的二三 十年里，PLZT铁电薄膜在得到广泛应用的同时，人们也发现了PLZT薄 膜存在着不少问题，比较突出的有几个方面，如：薄膜沉积温度高、易开 裂、疲劳特性差、电光性能与块状PLZT材料相去甚远等。 因此，与PLZT铁电薄膜在集成铁电微电子器件方面的应用相比， PLzT铁电薄膜在集成光电子器件方面的应用始终不尽如人意。前者在上 世纪90年代中期就已经出现商业化的产品，而后者到目前为止还处在模 型器件的研究阶段。主要原因有两个：一是PLZT薄膜加工工艺要求较高， 难以刻蚀，从而导致器件的损耗较大；二是PLZT薄膜的光学性能，特别 是电光系数，与薄膜组分、微观结构以及制备工艺等因素密切相关，即使 是同一组分，由于采用不同的制备方法或工