bao-tiolt;,2
中文摘要
介电性能测试两方面黪|、爨题。
联合取代鬣毒÷可形成复合墅匿溶体,产生滚襁烧结。S分+取代Ti4+,
形成置换型阎溶体,降低体系自由能,降低烧结温度。Sn4+和变价的
璃,露健烧结温度进一步降低到低瀣(960℃)。
通过控制预烧温度、烧结温度、球磨时间等工艺参数,调节系统
的相组成和微观结构,从而得到优异的介电性能。预烧过程中生成的
义。改变烧镭温度可以显著调节陶瓷的致密度稻介宅参数。球磨工兹
能够促进粉体细化和改变系统组分,对介电性能也有重要影响。
研究得到两种BTZ系微波陶瓷材料,有关参数如下:
烧结温度 相对密度 占, 岱。
Q僮(5GHz)
1160。C 198.5% /36 ≥13.000 04-30
ppm/4C
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