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《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（ 第一章 ） 1、杂质半导体有 N 型和 P 型之分。 2、PN结最重要的特性是_单向导电性____，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了_____反向电压_____电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是_正向电压__电压。 4、N型半导体中多数载流子是 自由电子 ，P型半导体中多数载流子是 空穴 ，PN结具有单向导电性 发射结 正向偏置 偏置，集电结 反向偏置 偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为 多数 载流子，自由电子为 少数 载流子。 7、PN结正偏时 导通 ，反偏时 截止 ，所以PN结具有 单向导电性 导电性。 8、反向电流是由 少数 载流子形成，其大小与 数目 有关，而与外加电压 无关 。 9、三极管是 控制元件，场效应管是 控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结 ，集电结 。 12、漂移电流是 电流，它由 载流子形成，其大小与 有关，而与 外加电压