3.2 霍尔传感器要点.pptVIP

霍尔效应原理图 当电子的积累达到动态平衡时，则 电场力=洛伦兹力 洛伦兹力为： fL=-evB v——为电子的速度 e——电子的电量 B——磁感应强度 注意：规定正电荷所受洛伦兹力方向为正，因此电子的为负。 与此同时，霍尔电场作用于电子的电场力fE为： fE=(-e)(-EH)=eUH/b -EH——指电场方向与所规定的正方向相反 b——霍尔元件的宽度 UH——霍尔电动势 当动态平衡时， fL+ fE=0，于是 vB=UH/b （以下计算电子的速度v） 电子的电流密度为： j=-nev n——单位体积中的电子数 j ——电流密度 负号表示电子运动方向与电流方向相反 于是，电流强度I为： I=jS=jbd=-nevbd (b、d为霍尔元件的宽度和厚度) UH=-IB/ned (N型半导体材料) UH=IB/ped (P型半导体材料) p ——单位体积中空穴数 霍尔系数和灵敏度 霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱。 kH=1/ne 霍尔元件灵敏度含义：霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流作用下霍尔电动势的大小。 SH=kH/d 则 UH=SHIB 对于霍尔电动势UH=SHIB的解释： 1、金属的电子浓度高，它的霍尔系数或灵敏度都很小，不适合制作霍