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- 2016-03-02 发布于湖北
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将霍尔元件置于磁场中,左半部磁场方向向上,右半部磁场方向向下,从 a端通人电流I,根据霍尔效应,左半部产生霍尔电势VH1,右半部产生露尔电势VH2,其方向相反。因此,c、d两端电势为VH1—VH2。如果霍尔元件在初始位置时VH1=VH2,则输出为零;当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时,即可得到输出电压,其大小正比于位移量。 1. 磁敏三极管的结构与工作原理 在弱P型或弱N型本征半导体上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。基区较长。基区结构类似磁敏二极管,有高复合速率的r区和本征I区。长基区分为运输基区和复合基区。 7.4.2 磁敏三极管的工作原理和主要特性 (a)结构 ( b)符号 b c e c N+ e H- H+ b I r N+ P+ 当磁敏三极管末受磁场作用时,由于基区 宽度大于载流子有效扩散长度,大部分载 流子通过e-I-b形成基极电流,少数载流子输入到c极。因 而形成基极电流 大于集电极电流 的情况,使β<l。 工作原理: N+ N+ e P+ x I r b c y 当受到正向磁场(H+)作用时,由于磁场的作用,洛仑兹力使载流子偏向发射结的一侧,导致集电极电流显著下降,当反向磁场(H-)作用时,在H-的作用下,载流子向集电极一侧偏转,使集电汲电流增大。 N+ N+ e P+ x r b y
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