模电 局考练习题摘要.docVIP

1.1半导体基础知识 价电子是（ ）。 A 电子 B 原子 C原子核最外层电子 D自由电子 在杂质半导体中，多数载流子的数量主要取决于（ ）。 A环境温度 B本征半导体质量 C杂质浓度 D晶体缺陷 本征半导体在温度T=0K和无光照时，导电能力与（ ）很接近。 A金属 B小电阻 C绝缘体 D掺杂半导体 半导体器件不具有（ ） A热敏性 B光敏性 C掺杂灵敏性 D恒温性 本征半导体是（ ）的半导体。 A未掺入杂质 B掺入等量的三价和五价杂质 C掺入三价杂质 D掺入五价杂质 半导体材料硅和锗原子的价电子都是( )价元素。 A 1 B2 C 3 D 4 半导体材料是指（ ）等物质 A 硼 B磷 C硅 D二氧化硅 电子数为32的锗原子和电子数为（ ）的硅原子特性很接近。 A 14 B 18 C 30 D 33 当（ ）后，就形成了PN结。 A N型半导体内均匀掺入少量磷 B P型半导体内均匀掺入少量硼 C P型半导体和N型半导体紧密结合 D P型半导体靠近N型半导体 多数载流子是（ ）的半导体叫做P型半导体。 A自由电子 B空穴 C正离子 D负离子 N型半导体是指（ ）的半导体。 A电子导电为主 B空穴导电为主 C离子导电为主 D导电能力很弱 当PN结加正向电压时，应有( )。 A空间电荷区变薄、电流减少 B空间电荷区变厚、电流减少 C空间电荷区变厚、电流增加 D空间电荷区变薄、电流增加 PN结（ ）时，空间电荷区变宽。 A 反向电压减少 B反向电压增加 C正向电压不变 D 正向电压增加 硅PN结的正向导通电压约为( )。 A小于0.1V B 0.2-0.3V C 0.6-0.7V D大于1V 锗PN结的正向导通电压约为( )。 A小于0.1V B 0.2-0.3V C 0.6-0.7V D大于1V p n结具有（ ）。 A、单向导电性 B、双向导电性 C、不导电 D、绝缘 硅元素有（ ）个电子。 a 14 b 24 c 16 d 26 PN结是如何形成的（ ）。 　 A、将P型半导体与N型半导体通过震动的方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。 B、将P型半导体与N型半导体通过物理和加热方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。 C、将P型半导体与N型半导体通过物理、化学的方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。 D、将P型半导体与N型半导体通过化学和导电方法有机地结为一体后，在两个半导体的交界面处就形成了PN结。 1.1.1半导体二极管及其伏安特性 二极管正向导通时，二极管像（ ）。 A 、开关接通 B、恒流源 C、绝缘电阻 D、大电阻 二极管符号中的箭头方向与（ ）方向一致。A外加电压 B载流子运动 C正向电流 D 反向电流 二极管反向电流用（ ）表示。 A、I B、 P C、IR D、M。 二极管符号中的箭头总是( )。A 由N区指向P区 B 由P区指向N区 C 由高电位指向低电位 d 由低电位指向高电位 二极管（ ）。 A、不能串联用 B、可以串联使用 C、做电源用 D、做放大器用 二极管并联使用时应（ ）。 A、不串联均压电阻 B、串联电压 C、并联电阻 D、串联均流电阻 二极管的正向伏安特性分为 ( )。 A正向导通区、击穿区 B正向导通区、不导通区（死区） C正向导通区、放大区 D正向导通区、饱和区 通常整流二极管不会工作在( )。 A、正向截止区(死区) B、正向导通区 C、反向截止区 D、反向击穿区 从二极管伏安特性看，当（　 ）时，二极管的导通电阻小。A 正向特性曲线陡直 B 正向特性曲线平缓C 反向特性曲线陡直 D 反向特性曲线平缓 二极管被反向击穿后，( )。A 二极管就损坏了 B 在限流的情况下，还可正常工作C 再次工作时，性能会显著下降 D 只有很小的电流产生 当两个二极管串联时，（ ）的二极管容易先被反向击穿。A正向电阻大 B正向电阻小 C反向电阻大 D反向电阻小 三个二极管的导通电阻按小、中、大排列分别为D1＜D2 ＜ D3，当三个二极管并联使用时（ )。A D1先损坏 B D2 先损坏 C D3先损坏 D 三个二极管同时损坏 当D1,D2,D3的正向电阻为D1D2D3），二极管并联时,哪个一个先击穿（ ）。