《第2章 金属功能材料-1-超导材料》.ppt

第二章 金属功能材料 第一节 超导材料 1911年荷兰低温物理学家昂纳斯在研究极低温度下金属导电性时发现，当温度降到4.2K时，汞的电阻率突然降低到接近于零。这种现象称为汞的超导现象。首次观察到超导电性。 从此，超导材料的研究引起了广泛的关注，现已发现了上千种超导材料。 定义：具有在一定的低温条件下呈现出电阻等于零以及排斥磁力线的性质的材料。 超导电现象：材料的电阻随温度降低而减小并最终出现零电阻的现象。 超导体：低于某一温度出现超导电性的物质。 * * 新材料中功能材料大约占85%，功能材料往往在能量与信息的显示、转换、传输、存储等方面，具有独特的功能。这些特殊功能是以它们所具有优良的电学、磁学、光学、热学、声学等物理性能为基础的。 第一节 超导材料 第二节 贮氢合金 第三节 形状记忆合金 第四节 非晶态合金 第五节 磁性材料 一、超导材料简述 超导材料特性 零电阻性（完全导电性） 超导材料处于超导态时电阻为零，能够无损耗地传输电能。如果用磁场在超导环中引发感生电流，这一电流衰变时间不短于10万年。这种“持续电流”已多次在实验中观察到。 完全抗磁性（B=0） 超导材料处于超导态时，只要外加磁场不超过一定值，磁力线不能透入，超导材料内的磁场恒为零--迈斯纳效应。 磁力线不能进入超导体内部 同位素效应 超导体的临界温度Tc与其同位素质量M有关。M越大，Tc越低，这称为同位素效应。例如，原子量为199.55的汞同位素，它的Tc是4.18K，而原子量为203.4的汞同位素，Tc为4.146K。 约瑟夫森效应（超导电子可以穿越极薄绝缘体势垒） 经典力学中，若两个区域被一个势垒隔开，则只有具有足够的能量时，粒子才会从一个区域进入另一个区域。 量子力学中，粒子具有足够的能力不再是一个必要条件，一个能量不太高的粒子也可能会以一定的概率“穿过”势垒，即所谓的“隧道效应”。两超导材料之间有一薄绝缘层（厚度约1nm）而形成低电阻连接时，会有电子对穿过绝缘层形成电流，而绝缘层两侧没有电压，即绝缘层也成了超导体。当电流超过一定值后，绝缘层两侧出现电压U（也可加一电压U），同时，直流电流变成高频交流电，并向外辐射电磁波。 基本临界参量 临界温度 外磁场为零时超导材料由正常态转变为超导态(或相反)的温度，以Tc表示。Tc值因材料不同而异。已测得超导材料的最低Tc是钨，为0.012K。到1987年，临界温度最高值已提高到100K左右。 临界磁场 使超导材料的超导态破坏而转变到正常态所需的磁场强度，以Hc表示。 临界电流和临界电流密度 通过超导材料的电流达到一定数值时也会使超导态转变为正常态，以Ic表示。Ic一般随温度和外磁场的增加而减少。单位截面积所承载的Ic称为临界电流密度，以Jc表示。 二、 超导体的基本性质 1. 超导电性的发现 1911年，首次观察到超导电性。图1描述了水银样品电阻与温度的关系。 1957年，巴丁、库柏和施瑞弗基于电子和声子的相互作用，建立了成功的微观理论，解释了超导电性的起源。 图1零电阻效应。水银的电阻在4.2K附近突然消失 50年代末和60年代初，第Ⅱ类超导体及其约瑟夫森效应的发现，促使低温超导电技术形成。 从60年代到80年代，超导电性的应用已具有一定的规模和相应的工业部门。人们一直在探索能在液氮温区（77K）甚至能在室温下工作的高温超导体。 1986年春，IBM实验室的柏诺兹和缪勒发现了La-Ba-Cu-O化合物在35K下的超导现象，在人们面前展现了一种具有新型结构的氧化物超导材料。人们很快便得到了液氮温区的超导体。 2. 超导体的基本物理性质 2.1 零电阻效应 a 临界温度Tc 电阻突然消失的温度被称为超导体的临界温度Tc。 超导临界温度Tc与样品纯度无关，但是越均匀纯净的样品超导转变时的电阻陡降越尖锐。 为了便于超导材料使用，希望临界温度越高越好。 目前已知的金属超导材料中铑的Tc最低，为0.0002K，Nb3Ge的Tc最高，为23.3K。 图2 正常金属和超导体的电阻与温度的关系 b. 临界磁场Hc 对处于超导态的超导体施加一个磁场，当磁场强度高于Hc时，磁力线将穿人超导体，超导态被破坏。一般把可以破坏超导态的最小磁场强度称为临界磁场Hc(T) 。 Hc(T)随温度的变化一般可以近似地表示为抛物线关系: 式中 是绝对零度时的临界磁场。 当T=Tc时，Hc=0；随温度的降低，Hc渐增，至OK