《纳米晶非挥发性存储器研究进展》.pdf

纳米器件与技术 NanoelectronicDeviceTechnology 纳米晶非挥发性存储器研究进展 管伟华,刘 明,龙世兵,李志刚,刘 琦,胡 媛,贾 锐 (中国科学院微电子研究所 纳米加工与新器件集成技术实验室,北京 ) 100029 摘要:介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储 器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、 纳米晶晶体生长控制方法、隧穿 控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究 / 进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。 关键词:纳米晶;非挥发性存储器;分立电荷存储;纳米晶存储器 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TP333.5 A 1671-4776 2007 05-0225-06 AdvancesinNanocrystalNonvolatileMemory , , , , , , GUANWei-hua LIUMing LONGShi-bing LIZhi-gang LIUQiHUYuan JIARui ( , KeyLaboratoryofNano-FabricationandNovelDevicesIntegratedTechnology , , , ) InstituteofMicroelectronicsChineseAcademyofSciencesBeijing100029 China : AbstractThedevelopmentandthebasicworkingprincipleofnanocrystalnonvolatilememoryare introduced.Thedifferentmechanismsofchargetransportationarecompared.Thelatestdevelop- , mentandprogressofnanocrystalnonvolatilememoryonnanocrystalmaterialdesign nanocrystal formation,tunneling/controldielectricmaterialengineeringandnoveldevicestructurearesystem- aticallydiscussed.Futureresearchdirectionofnanocrystalnonvolatilememoryisgiven. : ; ; ; Keywords nanocrystalnonvolatilememory discretechargestorage nanocrystalmemory 一方面要求具备较好的数据保持性能以保持电荷存 1 引 言 储 10年以上。出于折衷考虑,隧穿介质层的厚度 自 首次提出采用 纳米晶作为存储