硅集成电路工艺基础4解析.pptVIP

离子束线控制——后加速器 增加离子能量使离子能够达到器件所需要的结深。 具有高电压的电极。 可调整的垂直快门来控制束流。 后加速器 离子束流控制 离子束线控制——等离子体溢注系统 电荷中性化系统 注入离子使硅片带正电，导致硅片荷电效应。 对带正电的离子排斥，导致离子束放大并使掺杂不一致。 需要消除和最小化荷电效应。 等离子体溢注系统将电子“溢注”到离子束中， 使硅片的电荷中性化。 电子枪。 电子簇射。 荷电效应 等离子体溢注系统 电子枪 离子束线控制 ——束阻止 ——底部分析器 束阻止 吸收离子束能量。 水冷金属盘带走热量并阻挡X射线辐射。 底部分析器 法拉第电荷探测器。 离子束探测器—测试束流，束能量和束形状。 用来校准束流，形状和分布。 阱注入 高能量（达到MeV），直接注入到所需深度，无需再推进，减小横向扩散。 低束流（1013/cm2），阱注入杂质浓度低，阱中做器件。 4.5.2、离子注入工艺应用 VT调整的注入 低能量，n阱中注入一浅层硼B，杂质补偿为p型，调整pMOS的VTp。 低束流，达到反型即可。 p阱中同样，注入P。 轻掺杂漏极（LDD） 低能量（达到10keV），浅注入