7 单晶材料的制备.pptVIP

③ 主要设备 单晶炉：国产型号较多，有高压、低压之分 加热器：有石墨和硅碳棒，硅钼棒等 控制器：主要为精密数字控温仪，例如欧陆表，REX、FP控温仪等 坩埚：石英、铂、铱、石墨等。 坩埚材料对熔体生长关系重大，坩埚材料的选择应遵从如下原则： 坩埚材料选择的基本原则： 不溶或仅微溶于熔体； 尽可能地不含有能输运到熔体中区的杂质； 容易清洗，表面杂质都能除去； 在正常适用条件下，有高强度和物理稳定性； 有低的孔隙率以利于排气； 易于加工或制成所需形状的坩埚。 ④ 主要优缺点 可以直接观察晶体的生长状况，为控制晶体外形提供了有利条件。 晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触，能够显著减少晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核。 可以方便地使用定向籽晶的和“缩颈”工艺，得到不同取向的单晶体，降低晶体中的位错密度，减少嵌镶结构，提高晶体的完整性。 最大优点：能够以较快的速率生长较高质量的晶体。 提拉法的缺点： 一般要用坩埚作容器，导致熔体由不同程度的污染。 当熔体中含有易挥发物时，则存在控制组分的困难。 适用范围有一定的限制。 设计合理的生长系统，精确而稳定的温度控制，熟练的操作技术，是获得高质量晶体的重要前提条件。 ⑤ 改进技术 近年来，提拉法进行了以下几项重大改进： （a）晶体直径的自动控制技术—ADC技术。这种技术不仅使生长过程的控制实现了自动化，而