8.4 光电伏特效应及光电元件.pptVIP

光照射在发射极e与基极b之间的PN结附近便产生光电流（几微安,相当于三极管的基极电流）,于是在集电极c与基极基b之间的PN结能产生几毫安电流（相当于三极管的集电极电流）。光电三极管的通频带较窄,不如光电二极管性能稳定,但灵敏度高。 8.4.2 光电伏特型光电元件 1. 光电池结构原理 光电池是有源器件,这种器件受到光照时就产生一定方向的电动势,不需要外部电源供电。光电池的种类很多,有硒光电池、氧化亚铜光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓光电池等。用可见光作为光源的光电池的常用半导体材料有硒和硅等。 图8.12所示为硅光电池的结构原理、外形以及电路符号。 从图示曲线可以看出,不同的光电池其光谱峰值的位置不同。硅光电池的在8000 附近,硒光电池的在5400 附近。硅光电池的光谱范围很广,在4500～11 000 之间,硒光电池的光谱范围为3400～7500 。因此,硒光电池适用于可见光,常用于照度计测定光的强度。 2） 光电池的光照特性 光电池在不同的光强照射下可产生不同的光电流和光生电动势。硅光电池的光照特性曲线如图8.14所示。从该曲线中可以看出,短路电流在很大范围内与光强成线性关系。开路电压随光强变化是非线性的,并且当照度在2000lx时就趋于饱和。因此,把光电池作为测量元件时,应把它当作电流源来使用,不宜用作