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CIGS靶材在烧结制备过程中的研究 材料科学与工程B 摘要：铜铟镓硒靶材是以Cu2Se，In2Se3和Ga2Se3为原料，按照CuIn0.72Ga0.28Se2（铜铟镓硒）的化学计量混合原料粉末，通过常压烧结的方式来制备CIGS靶材。结果，只有CuIn0.7Ga0.3Se2。这种方法需要精确控制每个元素蒸发速率和沉积量。共蒸发法相比，比较容易实现成分的均匀，尤其是对大面积的，这有利于商业生产和[3]。CIGS/Mo接触层产生了Ga的聚集，并且在硒化过程中有有害气体相形成。因此，传统的两个步骤通过控制和调整Ga的浓度很难渐变带隙的CIGS吸收，尤其是复杂的带隙结构，如双或多层梯度。结果表明CIGS吸收是可行的方法。因此，硒化，难控制H2Se有毒气体。 在这项研究中，CIGS靶材是通过冷压制备常压烧结的方法制成。 对CIGS靶材粒子的尺寸和冷压力与靶材相对密度的关系进行了研究。通过X射线荧光（XRF）光谱仪，X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）和光学显微镜（OM），分别检测烧结试样的组成成分，相结构和微观结构。最后，通过热压工艺的初步尝试，进一步提高了CIGS靶材的密度。 2. 实 验 根据分子式CuIn0.72Ga0.28Se2的化学计量比，把5N纯度的Cu2Se，In2Se3，Ga2Se3粉末按照摩尔比为1:0.72:0.28用球磨机混合2~6小时。使用激光粒度分析仪（英