CIS薄膜的结构2.docVIP

三源共蒸法制备CIS薄膜及其性能研究 单玉桥，党鹏，孙绍广，单连中，李力，于晓中 (东北大学 材料与冶金学院，辽宁 沈阳 110004) 摘 要：本文用三源共蒸发法以高纯Cu、In、Se粉CuInSe2薄膜，研究了基片温度，退火处理对薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。用扫描电镜，X射线衍射仪紫外可见分光光度计霍尔效应仪对薄膜的形貌结构光性能进行可见光薄膜在112)晶面有择优取向基片温度300℃时薄膜都获得了单一黄铜矿结构CuInSe2，退火处理后电阻为1.534Ω/cm2和1.554Ω/cm2。 关 键 词：CuInSe2；太阳电池；薄膜A CuInSe2(简称CIS)是一种直接带隙材料，禁带宽度约为1.0eV，光吸收系数高达105cm1数量级，1~2μm的厚度就可以吸收大部分太阳光，CIS薄膜成为最具前途的太阳电池之一CIS薄膜制备方法真空蒸镀法[]、磁控溅射法[]、电沉积法[]、元素层堆积法分子束外延法[]、喷射热解法[]、硒化法[7]等。CIS薄膜，研究了基片温度，退火处理对CIS薄膜的结构，光学及电学性能的影响，得到制备理想CIS薄膜的最佳工艺。 1 实验方法 实验采用医用载玻片钠钙玻璃作为材料酸洗碱洗超声波清洗99.95%Se粉99.8%Cu粉，99.995%粉沈阳市超高真空应用技术研究所多功能真空镀膜按Cu:In:Se原子比1.1:1:2称取一定质量