射频电路1_绪论20130905要点.pptVIP

1.3.3 高频电阻 由于高频效应，在高频时电阻R将会出现引线电感，引线电阻，极间电容，引线间电容等。 于是标称值为R的电阻R的电阻的等效电路为 通常趋肤效应引起电阻和引线间电容可以忽略。 【例】计算长为2.5cm,半径为a=2.032x10-4m的铜导线连接的500?电阻的高频电阻的阻抗特性，极间电容为5pF。 平板电容是最常用的电容，对于面积为A，间距为d，填充介电常数为?的电介质的平板电容在低频时为 高频时，除了引线电感和引线电容外，电介质变得有耗，产生高频介质电导率，损耗电导为 1.3.4 高频电容 于是，平板电容变成了C与电导的并联，并联导纳 损耗角正切反映了位移与传导电流的比例。 考虑引线电感L，引线电阻Rs和介质损耗电导，平板电容的等效电路为 －损耗角正切 【例】计算一个47pF平板电容器的高频阻抗，设引线为长为1.25cm，半径a=2.032x10-4m的铜线。 1.3.5 高频电感 电感通常是由导体线圈构成，在高频，线圈除了具有电感外，还有高频电阻和线圈导体间的寄生电容。因此, 电感已变为RLC谐振器。 1.4 RF/MW发展简史 1864年，英国物理学家J. C. Maxwell (1831-1879, 48岁)发表了著名的麦克斯韦方程，从理论上预测电磁波的存在。 1