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MOSFET 探测器测量组织补偿胶对表面剂量的影响 中文摘要 中文摘要 目的 使用金属氧化物半导体场效应晶体管探测器(MOSFET )测量表面剂量， 探讨X射线、电子线照射时不同厚度组织补偿胶对表面剂量的影响，为临床放疗提 供剂量学实验依据。 方法 1. 将MOSFET探测器进行剂量刻度，计算出探头的校准因子。 2. 实验分为六组，选用6MV、15MV X射线进行照射，未加组织补偿胶为0组， 加上组织补偿胶后按厚度从小到大（3mm,5mm,10mm,15mm,20mm ）依次记为Ⅰ、 Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ和Ⅴ组，MOSFET探测器的探头置于体模表面， Ⅰ～Ⅴ组将组织补偿 胶敷贴于体模表面照射，0组直接照射。照射条件：源皮距为100cm，射野大小 10cm×10cm，加速器输出100MU，对应剂量100cGy。MOSFET探测器测量各组剂 量，每组测10次。 3. 选用6MeV、9MeV、12MeV电子线进行照射，方法同2 。 结果 1. 6MV X射线照射时测得探头的校准因子平均值为3.88mV/cGy，由于同一探 头对各能量X射线、电子线有较好