04微电子概论半导体工艺解读.ppt

半导体器件工艺 （半导体工艺部分） 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院 2.集成电路设计与制造的主要流程框架 集成电路芯片的显微照片 沟道长度为0.15微米的晶体管 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 第一章、晶体的生长和外延 我们将介绍最常用的生长半导体单晶（最重要的是硅和砷化镓）的工艺。 一种与晶体生长密切相关的技术叫“外延生长”，当外延层和衬底材料相同时，就称为“同质外延” 1.硅的基本性能 导电性能 掺杂浓度越高，电阻率越低。10-3~1010?cm 加入不同杂质导致不同的导电类型。N型，P型 物理性能 硬度8.5?107g/cm2，熔点1420?C，E=190GPa，?=2.3g/cm3 化学性质 IV族，易与金属形成合金，易被碱性溶液腐蚀，主要以氧化物形式存在。 晶体性能 三种主要晶向：[100]、[110]、[111] 2.硅片的制备 原料：石英砂（SiO2） 在电弧炉中冶炼冶金级硅，纯度99% 用C或Al还原 含C、Fe、Al、Ti、B、P等杂质 化学提纯为半导体级多晶硅 三氯氢硅法和硅烷法 熔融拉片，形成单晶硅 制片：切片，磨片，抛光，清洗 直拉单晶硅 4.硅片直径变大的好处 5、外延工艺 1）外延工艺概述 定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一 层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶 相延伸生长，并称此为外延层。长了外 延层的衬底称为外延片。 2）CVD:Chemical Vapor Deposition(化学汽相淀积） *晶体结构良好 *掺入的杂质浓度易控制 *可形成接近突变p—n结 * 外延分类: 气相外延(VPE)－－常用 液相外延(LPE)－－ⅢⅤ 固相外延(SPE)－－熔融再结晶 分子束外延(MBE)－－超薄 化学气相淀积(CVD) －低温, 多（非）晶 材料异同 ◆ 同质结Si-Si ◆ 异质结GaAs--AlxGa(1-x) As, Ge-Si Ge-Si 温度：外延高温1000℃以上 CVD低温1000℃以下 3）硅气相外延工艺 外延原理 氢还原反应 硅烷热分解 第二章、薄膜淀积 器件制造过程中还需要在晶片上淀积许多不同材料，如多晶硅、互连层之间的绝缘材料以及互连金属层。 薄膜的淀积方法：1）热氧化；2）介质淀积；3）多晶硅淀积；4）金属化。 工艺上主要应用3种工艺；1）氧化工艺； 2）化学汽相淀积；3）物理汽相淀积。 下面我们分别讨论 氧化工艺 氧化：制备SiO2层 SiO2的性质及其作用 SiO2是一种十分理想的电绝缘材料，它的化学性质非常稳定，室温下它只与氢氟酸发生化学反应 SiO2的制备方法 热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法 氢氧合成氧化 化学气相淀积法 热分解淀积法 溅射法 2、化学汽相淀积(CVD) 化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition)：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。（APCVD、LPCVD、PECVD） CVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等 化学汽相淀积(CVD)分类 常压化学汽相淀积(APCVD) 低压化学汽相淀积(LPCVD) 等离子增强化学汽相淀积(PECVD) 单晶硅的化学汽相淀积(外延)：一般地，将在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片 二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源 低温CVD氧化层：低于500℃ 中等温度淀积：500～800℃ 高温淀积：900℃左右 多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。 氮化硅的化学汽相淀积：中等温度(780～820℃)的LPCVD或低温(300℃) PECVD方法淀积 3、物理气相淀积(PVD) 蒸发：在真空系统中，金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。按照能量来源的不同，有灯丝加