3 半导体中载流子的统计分布-蓝色解读.ppt

半导体物理基础 第二章知识点回顾 1，杂质在晶体中的存在方式，替位式杂质和间隙式杂质。 2，施主杂质和施主能级的概念，形成方式，电离过程，N型半导体。类似分析受主杂质。 3，浅能级杂质和深能级杂质的概念。氢原子电离模型。 4，缺陷和位错。 第三章 半导体中载流子的统计分布 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 简并半导体 引言 半导体的性能的决定者：电子 半导体导电性能的变化是由电子的数量的变化决定的。电子的数量是关键因素。 没有外界作用时，电子靠热激发产生。 热激发：本征激发、杂质电离 电子同时以一定的几率由高能态跃迁至低能态，与空穴中和，称为复合。 热平衡状态 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 如何得到载流子的浓度？ 态密度的概念 能带中能量 附近每单位能量间隔内的量子态数。 能带中能量为 无限小的能量间隔内有 个量子态，则状态密度 为 态密度的计算 状态密度的计算 单位 空间的量子态数 能量 在 空间中所