合肥工业大学 电力电子技术第二讲第二章.ppt

电 力 电 子 技 术 Power Electronics 第2章 电力电子器件及应用 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.2 电力电子器件基础 2.2 电力电子器件基础 2.2 电力电子器件基础 2.2 电力电子器件基础 2.2 电力电子器件基础 2.2.1 PN结原理 将N型半导体和P型半导体结合，由于P型半导体内空穴浓度高、电子浓度低，而N型半导体空穴浓度低、电子浓度高，则空穴必然要从高浓度的P区流向低浓度的N区，同样电子要从N区流向P区，这种载流子从高浓度区向低浓度区的运动称为扩散运动。 扩散首先在界面两侧附近进行。当电子离开N区后，留下了不能移动的带正电荷的杂质离子，形成一层带正电荷的区域；同理，空穴离开P区后，留下不能移动的带负电荷的杂质离子，形成一层带负电荷的区域。因此P区和N区交界面附近形成空间电荷区。 2.2.1 PN结原理 由于正负电荷的相互作用，在空间电荷区形成从带正电的N区指向带负电的P区的内电场。 内电场对多数载流子的扩散运动有阻挡作用，同时也会吸引对方区内的少数载流子向本区运动，形成漂移运动。 当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，正、负空间电荷量就达到稳定值。 此时的空间电荷区就是PN结。 2.2.1 PN结原理 2．偏置下的PN结 在PN结上外加电压称为对PN结的偏置，P区加正、N区加负为正偏置，反之为反偏置。 当PN结正向偏置时，外加电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，载流子的漂移运动受到抑制，而扩散运动增强，在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流，称为正向电流。 当PN结反向偏置时，外加电场与PN结内电场方向相同，使得载流子的漂移运动大于扩散运动，形成反向电流，但由于受少数载流子浓度低的限制，反向电流很小。 2.2.1 PN结原理 3．PN结的反向击穿 PN结具有一定的反向耐压能力，但如果反向电压过大，达到反向击穿电压时，反向电流会急剧增加，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，这种状态称为反向击穿，反向击穿有可能造成PN结损坏。 PN结反向击穿有三种形式：雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 1）雪崩击穿 当反向电压增大到某一数值后，载流子增加得快而多，使反向电流急剧增大，这种情况称为雪崩击穿。 2.2.1 PN结原理 2）齐纳击穿 齐纳击穿也称隧道击穿，它是在较低的反向电压下发生的击穿。在高掺杂浓度的PN结中，P区与N区之间的间距较窄，再加上反偏电压使电场强度增加，能够破坏共价键，将束缚电子分离出来造成电子-空穴对，该现象称为齐纳击穿。 3）热击穿 上述两种型式的击穿过程都是可逆的，若此时外电路能采取措施限制反向电流，当反向电压降低后PN结仍可恢复原来状态。否则反向电压和反向电流乘积过大，会超过PN结容许的耗散功率，导致热量无法散发，PN结温度上升直至过热而烧毁。这种现象称为热击穿，必须尽可能避免热击穿。 2.2.1 PN结原理 4．PN结的电容效应 PN结的单向导电性使其对交流电有整流作用，但这种作用只在交变电压频率不太高时才能发挥作用，而在电压频率增高时不能很好发挥作用，其原因就是PN结有电容效应。PN结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容和扩散电容。 1）势垒电容 由于PN结的空间电荷区无可动电荷，犹如一层绝缘介质，与将其夹在中间的P区和N区一起，构成为一个电容器。由于空间电荷区是载流子的势垒区，所以该电容称为势垒电容。 2.2.1 PN结原理 2）扩散电容 发生在空间电荷区外并与注入载流子的扩散运动有关的电容效应称为扩散电容。 当PN结正向偏置时，大量电子由N区进入P区，空穴由P区进入N区。但电子进入P区后并不是立即与空穴复合而消失，而是在靠近耗尽层的一定距离内，一面继续扩散，一面与空穴复合后消失。 扩散电容是由正偏压造成的，只在正向偏置时存在。 在正向偏置时，当电压较低时，势垒电容占主要成分；正向电压较高时，扩散运动加剧，使扩散电容按指数规律上升，成为PN结电容的主要成分。 2.2.2 电力电子器件的封装 图2-2是电力电子器件几种常见的封装形式 2.3 功率二极管 功率二极管（Power Diode）属于不可控电力电子器件，是20世纪最早获得应用的电力电子器件，它在整流、逆变等领域都发挥着重要的作用。基于导电机理和结构的不同，二极管可分为结型二极管