适用于卫星通信SiGeHBT集成功率放大器设计.pdfVIP

适用于卫星通信的 SiGe HBT 集成功率放大器设计* 1, 2 1 1 沈剑均 ，李智群 ，王志功 （1．东南大学射频与光电集成电路研究所，南京 210096 ） （2 ．东南大学集成电路学院，南京210096 ） 摘要：本文介绍了采用 IBM 5PAE 0.35μm-SiGe BiCMOS 工艺并适用于 3.33-3.53GHz 卫星通信的功率放大 器的设计。该电路采用两级放大器级联结构并工作于 A 类，在 4.5V 电源电压下，增益为26dB ，输出 1dB 压缩点为 27.5dBm，相应的功率附加效率（PAE ）为28% 。 关键词：功率放大器；卫星通信；SiGe；射频集成电路 * SiGe HBTs Power Amplifier for satellite communications 1, 2 1 1 Jianjun Shen ，Zhiqun Li ，Zhigong Wang （1．Institute of RF- OE-ICs of Southeast University, Nanjing Jiangsu 210096 ） （2 ．College of Integrated Circuits, Southeast University, Nanjing Jiangsu 210096 ） Abstract ：This paper introduces the design of a power amplifier based on IBM 5PAE 0.35μm-SiGe BiCMOS technology for 3.33-3.53GHz satellite communications. It is implemented in two-stage cascade structure as Class A power amplifier. At a supply voltage of 4.5V, its gain is 26dB, OP1dB is 27.5dBm, power added efficiency is 28%. Key words ：Power Amplifier; Satellite Communications; SiGe; RFIC 3.33-3.53GHz，输出P1dB 大于 27dBm，20dB 以上的 1．介绍 功率增益。在输出P1dB 时相应的功率附加效率（PAE ） 目前，基于GaAs HBTs 的高性能射频功率放大 为 28% 。功率放大器的电路仿真和版图设计均在 器占据了无线通信市场的绝大部分。虽然 GaAs Cadence 模拟设计环境下完成。 HBTs 射频功率放大器的成本较高，但是鉴于其出色 的工作性能，这还是勉强可以接受的。随着无线通 2 ．制造工艺 信的新标准新技术的迅速发展，射频功率放大器的 此设计采用 IBM 5PAE 0.35μm-SiGe BiCMOS 潜在需求量非常庞大，这就促使了射频功率放大器 工艺，该工艺提供了高性能和高击穿两种固定宽长 往高集成度低成本方向的发展。而在 Si 基技术中就 比的NPN SiGe HBTs ，它们的区别详见表 1。