双极型半导体器件详解.pptVIP

模拟电子技术 第8章 半导体器件 8.1.1 本征半导体及其导电性 1. 本征半导体共价键结构 物质按其导电能力的强弱分类： 导体——容易传导电流的材料称为导体。 绝缘体——几乎不传导电流的材料称为绝缘体。 半导体——导电能力介于导体和绝缘体之间的称为半导体。 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 由于绝大多数半导体的原子排列呈晶体结构，所以由半导体构成的管件也称晶体管。 3. 空穴的移动 8.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 8.2.3 半导体二极管的参数和模型 1.半导体二极管的参数: 最大整流电流IF、 反向击穿电压UBR、 最大反向工作电压URM、 反向电流IR、 最高工作频率fmax和结电容Cj。 应用举例 例8.2.1:图(c), E=5V, Ui=10sinwt Ui?5V，二极管D截止Uo=E Ui?5V，二极管D导通Uo=Ui 例8.2.2:图(d) ,E1=E2= 5V, Ui=10s inwt Ui?5V D1 D2止 Uo= Ui Ui?5V D1通D2止 Uo= 5V -5V?Ui ?5V D1D2止 Uo= Ui Ui ?-5V D1止D2通 Uo= -5V 8.3.2 三极管电流放大原理 4. 三极管的电流 双极型三极管的参数 场效应管FET与三极管BJT的区别 8.4.1 结型场效应管 8.4.2 绝缘栅场效应管MOS 8.4.3 场效应管的主要参数 半导体三极管图片 2 三极管电流放大原理 E C B EB W1 RB ?A IB V1 EC W2 mA IC V2 UCE 1、基极电流小 IE = Ic + IB ? Ic 2、电流放大作用 交流放大系数 直流放大系数 图1.4.3 晶体管特性的试验电路 NPN型晶体管共发射极电路 外部工作条件： 发射结加正向电压即发射结正偏 集电结加反向电压即集电结反偏 Sect P N P e b c IE IB’ IC’ ICBO IB IC 发射区向基区扩散空穴， 形成发射极电流 2. 空穴在基区扩散和复合， 形成了基区复合电流IB’ 3. 集电极收集从发射区扩散到基区的空穴，形成了电流IC ’ 4. 同时由于集电结反偏，少子在电场的作用下形成了漂移电流ICBO 电流之间的分配关系 IB = IB’-ICBO IC = IC’ +ICBO IE = IB+IC 3. 三极管的电流分配 Sect 共发射极连接： IB = IB’-ICBO IC = I’C+ICBO IE = IB+IC EB EC Rb Rc IB IC IE ECEB 输入电流 输出电流 当IB=0时 穿透电流 由IBICBO 共射直流放大系数 共基极直流电流放大系数 Sect 1. Uce=0V时， 发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏， 实际上是两个二极管并联。 2. 当Uce ≥1V时， Ucb= Uce - Ube 0， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增 大，特性曲线将向右稍微移动一些。但Uce再增加时，曲线右移很不明显。通常只画一条。 输入特性曲线分三个区 ② 非线性区 ① 死区 ③ 线性区 ① ② ③ 正常工作区，发射极正偏 NPN Si: Ube= 0.6~0.7V PNP Ge: Ube= -0.2~-0.3V Sect iB=f(UBE)?UCE=C 1. 输入特性曲线 8.3.3 特性曲线 晶体管特性曲线是指晶体管各电极之间电压和电流的关系曲线。 C E B IC=f(Uce)? Ib=C Sect 3. 放大区 (1) IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距 (2) 条件：发射结正偏，集电结反偏， NPN管 UBE≥ 0 , UBC＜0 (3) Ic=?Ib, 即Ic主要受Ib的控制。有电流放大作用 (4) ? ≈ 2. 输出特性曲线 2. 截止区： (1)条件：发射结反偏，集电结反偏。 NPN：Ube?0.5V,管子就处于截止态 (2) Ib=0 Ic=Iceo 晶体管C、E之间相当于开路 1. 饱和区: (1) IC受Uce显著控制的区域，该区