数字逻辑之疑点解释详解.docVIP

MOS电路 MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。 MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。 MOS电路中应用最广泛的为CMOS电路，CMOS数字电路中，应用最广泛的为4000、4500系列，它不但适用于通用逻辑电路的设计，而且综合性能也很好，它与TTL电路一起成为数字集成电路中两大主流产品。CMOS数字集成电路电路主要分为4000（4500系列）系列、54HC/74HC系列、54HCT/74HCT系列等，实际上这三大系列之间的引脚功能、排列顺序是相同的，只是某些参数不同而已。例如，74HC4017与CD4017为功能相同、引脚排列相同的电路，前者的工作速度高，工作电源电压低。4000系列中目前最常用的是B系列，它采用了硅栅工艺和双缓冲输出结构。 Bi-CMOS是双极型CMOS（Bipolar-CMOS）电路的简称，这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三极管，因此兼有CMOS电路的低功耗和双极型电路输出阻抗低的优点编辑本段TTL电路介绍 TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。 从六十年代开发 ?? 成功第一代产品以来现有以下几代产品。 第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55～+125，74系列工作温度为0～+75) ，低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。 第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。 第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。 各类TTL门电路的基本性能： 编辑本段TTL电路分类 电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种，大致可以分为以下几类： 门电路 译码器/驱动器 触发器 计数器 移位寄存器 单稳、双稳电路和多谐振荡器 加法器、乘法器 奇偶校验器 码制转换器 线驱动器/线接收器 多路开关 存储器 编辑本段特性曲线电压传输特性 TTL与非门电压传输特性 LSTTL与非门电压传输特性 瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在，输入和输出波形如 右。存在四个时间常数td,tf,ts和tr。 延迟时间td 下降时间tf 存储时间ts 上升时间tr 基本单元“与非门”常用电路形式 四管单元 五管单元 六管单元 主要封装形式 双列直插 扁平封装 TTL反相器工作原理，请参照《数字电子技术基础》第四版 高等教育出版社，清华大学电子教研室 阎石主编的P53页电路图 1、当Vi=Ve1=0.2v 时T1导通，这时Vb1被钳制到0.2+0.7=0.9v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb20.7v，所以T2截止,T3导通，T4截止，Vo输出为高电平。 2、当Vi=Ve1=3.6v 时T1也导通，这时Vb1被临时钳制到3.6v+0.7=4.3v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=3.6v,由于Vb20.7v，所以T2导通，侧Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb40.7v,所以T4导通，由于T2的导通导致T3的基极Vb3被钳制到0V，所以T3截止；所以Vo输出为低电平。另外由于T4的导通，并且发射极接地，反过来有影响到T4的基极被钳制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样T2导通所以T2的基极Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样T1导通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。 科技名词定义中文名称： 集成电路 英文名称： integrated circuit 定义： 将一个电路的大量元器件集合于一个单晶片上所制成的器件。 应用学科： 材料科学技术（一级学科）；半导体材料（二级学科）；总论（二级学科） 以上内容由全国科学技术名词审定委员会审定公布 求助编辑百科名片 ?