5场效应管放大电路解析.pptVIP

静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） （3）电流源偏置共源极放大电路 VDS ＝ VDD －IDRd－ VS 需要验证是否满足 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 3. 小信号模型分析 （1）模型（工作在饱和区） 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当vgs 2(VGSQ- VT )时(必须满足的小信号条件） ??0时 高频小信号模型 式中gm=2Kn(VGS－VT) 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5 共源电路） 例5.2.6（共漏电路，源极输出器） 交流参数归纳如下 ①电压放大倍数 ②输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 或 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共源极电路（对应共射电路） ③输出电阻 共漏极电路（对应共集电路） ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共栅极电路（对应共基电路） ①电压放大倍数 . ②输入电阻 ③输出电阻 Ro≈Rd *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析