第7章 微细加工与MEMS技术光学光刻详解.pptVIP

1 7.7 先进掩模概念 一、保护薄膜 分步重复缩小投影虽然可以减少小缺陷的影响，但大缺陷的影响更严重，因为它可以被复制到每一个小视场中。 解决的办法是给步进机的掩模版蒙上一层保护薄膜，并使薄膜离开掩模版表面约 1 cm。这样可使任何落在薄膜上的颗粒保持在光学系统的聚焦平面之外。 另一种用于接触式光刻机的保护薄膜直接涂在掩模版上 ，它可以使接触式光刻在保持高分辨率优点的同时，提高掩模版的使用寿命，减少芯片上的缺陷。 二、抗反射膜 光线在掩模版和透镜表面的部分反射会使光能受到损失。有些光线经多次反射后会打到硅片上，使图形质量受到影响。为了减小这个问题，一种新掩模技术采用在掩模版靠近镜头的一面加上 10% 的抗反射剂。 由公式 可知，由于 NA 对焦深的作用更大，所以通常希望采用较小的NA 值。一般将 NA 值取为 0.16 到 0.6。当 k1 为 0.75 时，有 ~ 上式在一段时期内被认为是光学曝光法的分辨率极限。若要进一步减小线宽，只能采用波长更短的光源，例如 X 射线。 三、相移掩模技术 对光刻胶和镜头等的改进只能稍微减小 k1 值。而 相移掩模技术 等 超分辨率技术 的发明使 k1