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SVD2N60(M)(F)(T)(D).pdf
SVD2N60M/F/T/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVD2N60M/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效
应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺
技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品
具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿
耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源
转换器,高压 H 桥 PMW 马达驱动。 司
特点 公
∗ 2A ,600V,RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V 限
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容 有
∗ 开关速度快 技
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则 科
安
达
众
市
圳
产品规格分类
深
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装
SVD2N60M TO-251-3L SVD2N60M 无铅 料管
SVD2N60F TO-220F-3L SVD2N60F 无铅 料管
SVD2N60T TO-220-3L SVD2N60T 无铅 料管
SVD2N60D TO-252-2L SVD2N60D 无铅 料管
SVD2N60DTR TO-252-2L SVD2N60D 无铅 编带
共10页 第1页
Http://
电话:(075527858661 传真:(0755
SVD2N60M/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数范围
参 数 名 称 符号 单位
SVD2N60M/D SVD2N60T SVD2N60F
漏源电压 VDS 600 V
栅源电压 VGS ±30 V
漏极电流 ID 2.0 A
漏极冲击电流 IDM 8.0
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