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《现代电子线路》下册内容 变频 * 推荐参考书 模拟电子技术 [美] Robert L. Boylestad Louis Nashelsky 著 李立华 李永华等译 电子工业出版社 αRIR αFIF IF IR IC IE IB E C B De Dc E-M Model 以NPN硅管 直流模型 交流模型 简化交流模型 低频信号简化 共发射极接法 共基极接法 §1.4 场效应晶体管 MOS电容( Metal-Oxide-Semiconductor ) P+ P型硅 二氧化硅 金属 VG （a）VG0 非平衡空穴 电场方向 P+ P型硅 VG 耗尽层 电场方向 （b）0VGVTH P+ P型硅 VG 反型层（N沟道） （c）VG VTH 电场方向 P+ P型硅 VG N沟道更宽 电场方向 （d）继续增大VG 金属－氧化物－半导体（MOS）电容外加偏压 栅极G 漏极D 源极S 源极S 漏极D 栅极G 衬底B 衬底B 增强型(E型)N沟道 增强型(E型)P沟道 栅极G 源极S 漏极D N+ N+ P＋区 （P型衬底） 氧化层O 金属层M PN结耗尽层 栅极下的绝缘沟道 衬底B 半导体S 1、结构 二、增强型N沟道MOSFET 2、工作原理(导电沟道的形成过程) ⑴ 当VGS≤0时，两N+区(S、D)之间不导电； SiO2层 N+ N+ PN结 P型衬底 VGS D G S B 电场方向 ⑵ 当0VGSVTH时，在界面处，电子(少子)与空穴复合，使得受主杂质离子开始暴露成耗尽层； N+ N+ PN结 P型衬底 SiO2层 VGS D G S B ⑶ 当VGS=VTH时, 受主杂质离子全部暴露，形成的耗尽层与PN结联为一体。因耗尽层中没有载流子，故两N+区(S、D)之间不导电。 N+ N+ PN结 P型衬底 SiO2层 VGS D G S B N+ N+ PN结 P型衬底 SiO2层 VGS D G S B ⑷ 当VGSVTH时，形成电子为多数载流子的N沟道(反型层)。若在D、S之间外加电压，则将有电流通过N沟道。 因VGS≥VTH时才会产生导电沟道，故称该MOSFET为增强型，VTH称开启电压。 SiO2层 N+ N+ PN结 P型衬底 VGS D G S B MOSFET的工作原理可描述如下： VGS作用→产生感生沟道→用VGS电场效应控制沟道宽度→改变D-S之间的导电能力，使得漏极电流ID随VGS变化(VCCS)。 SiO2层 N+ N+ PN结 P型衬底 VGS D G S B SiO2层 N+ N+ PN结 P型衬底 D G S B VGS 沟道长度 （5）VDS的影响 ▲ 变电阻区 导电沟道形成后，外加电压VDS,就会产生漏极电流ID。由于VDS 沿沟道方向降落，沟道上的各点电位不等, 导电沟道呈“楔形”。 ▲ 导电沟道被夹断，称为“预夹断”，由于夹断区内存在从漏极指向源极方向的内电场, 电子在电场驱动,穿过夹断区到达漏极，形成了从漏极到源极的电流。 SiO2层 N+ N+ PN结 P型衬底 VDS D G S B VGS 沟道长度 饱和区和变电阻区分界线 ▲ VDS继续增大, 沟道长度变短，从而引起沟道电阻减小。在同样的VGS作用下，ID随VDS的增加而略有增加 。这种现象称为“沟道长度调制效应”。 SiO2层 N+ N+ PN结 P型衬底 VDS D G S B VGS 沟道长度 归纳如下： ◆VGSVTH时，无导电沟道， ；“截止区” ◆VGS≥VTH且 时， “变电阻区” ； ◆VGS≥VTH且 时， “饱和区” ； 沟道长度调制效应，常忽略 3、NEMOSFET伏安特性曲线 ⑴ 转移特性 VGSVTH时，ID＝0 (无导电沟道)； VGSVTH时(VDS不变)，VGS↑→ 导电沟道截 面积↑→R↓→ID↑； 转移特性曲线特点： ID(mA) VGS(V) 沟道长度 调制效应 VTH VDSVGS-VTH VGSVTH且VGS不变时， 变电阻区：VDS↑→ID↑， 饱和区： VDS↑→ID略↑（沟道长度调制效应） 转移特性