晶片切割机原理及电气控制研究.docVIP

晶片切割机原理及电气控制 简介：在芯片生产中，无论是现在或基于未来发展的趋势，晶片切割　　　　　　　　　　　　都是一道极其重要且不可或缺的工序。本文介绍了在芯片封装时的一　　　　　　系列工序流程，重点阐述了晶片切割的相关知识及晶片切割机的原理和基本结构；并以一种型号的设备为例，解释了其电气控制过程和一部分电路结构。 重要词汇：晶片(wafer) 晶元(die) 晶片切割(wafer sawing) 引脚点(pad) 一、引言 　　半导体芯片生产一直以来都是以尖端技术为立足点的行业，经过四十多年的发展，经历了从早期电子管到现在超大规模集成电路。从只有军用、实验室到我们每个人家中。随着它的继续发展将给我们更多的方便。 半导体行业常用专署词汇简介： １、晶片（wafer）：由几千至几万粒同种类型的晶元组成，正面是电 路部分，反面是硅或金属，大小从4寸至12 寸不等。一般来说，4-6寸它的一个小边会被切平。8寸会有一个小的方形凹槽。 ２、晶元（die） ：芯片的核心电路部分。大小由几MIL到几百MIL 　　　　 ３、产品／成品（device）：就是通常所说的芯片，但一般我们只注意它们的外观，其实同样的晶元可能会做成不同的封装形式。（我厂有SOIC，SOT，SOP，QFP，DIP，TO等） 　　　 ４、赝品（dummy）：外观上与普通的晶片一样，但其中的晶元已没有电路功能，主要作用是在生产正常产品前对设备进行某些功能的测量与测试。 ５、薄膜（tape）：在晶片上贴膜时用。厚度一般为5mil左右。 （１mil=0.0254mm） ６、圆形金属框架（frame）：可在晶片贴膜时固定薄膜。 ７、长条形金属框架（lead frame）：多为铜制或银制，可将多个晶元贴在上面，便于后序的封装成型 ８、晶片位置示图（wafer map）：晶片在进行封装前需对每个晶元进行一次分类检测，然后将好的晶元和不良的晶元所处的位置形成一张图纸存储在主机中。 芯片封装流程简介： 晶片制造（wafer fabrication）　 将电路刻到die上　 　　　　 晶片测试分类（wafer sort）　　检测晶元，区分好坏die 　　 晶元库（die bank） 晶片的存放室 晶片正面贴膜（wafer tape）　　能在下一步打磨时保护晶片上的电路　　 晶片背面打磨（back grind）　　将晶片打磨到不同的厚度以适应不同　　　　　　　　　　　　　 　 　　 的封装要求。一般晶片生产出来时厚 度为23mil左右，然后按工艺不同打 磨到6mil 至16mil左右不等。 去膜（de-tape）　　　　　　 将晶片正面的薄膜去除。 晶片反面贴膜（wafer mount） 防止晶片在切割后晶元散落，并且便　　　　　　　　　　　　　　　 　　 　　　　　　　　　　　 　于下一道工序的加工。 晶片切割（ wafer sawing）　　　将晶片分离成晶元。 　　　　　　　　　　　 晶元粘贴（die attach） 　将晶元用特殊物质粘贴在lead frame上。 金线键合（wire bond）　 用金线或铜线联接晶元和lead frame上的引 　　　　　　　　　脚。 后道工序（end of line） 包括塑封，打印标签，冲压，引脚成型等工1 序。 检测（test）　　　　　　成品检验分final test—测试电气特性VM测 1 试外观 二、晶片切割机主要结构及原理 用高速切刀将SAW street 切开使die与die分离。 　　　　 saw street 晶元 晶片切割示意图： 　　　　　　　　wafer flat（定义wafer 方向） 　　　　　　 　　　　　　　　　　　　旋转90°　　　 　　　 　切割