5全控器件(MOSFET和IGBT)资料.pptVIP

课题十五:典型全控器件 MOSFET和IGBT 一、电力场效应晶体管 分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 一、电力场效应晶体管 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型。 一、电力场效应晶体管 电力MOSFET的结构 一、电力场效应晶体管 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 一、电力场效应晶体管 电力MOSFET的特点 电力场效应晶体管 一、电力场效应晶体管 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 一、