第二章半导体的特性精要.ppt

不同温度下材料的载流子浓度 * 2.6 III族和V族掺杂剂 * V族掺杂：在纯硅(Si)中掺入拥有5个价电子的原子，如磷(P)原子。这个杂质会取代硅原子的位置。和邻近硅原子形成共价键时，会多出1个电子。 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P 掺杂磷P产生的自由电子 自由电子为 N型半导体的多数载流子，空穴为 N型半导体的少数载流子。 施体：提供自由电子的杂质原子。 N型半导体(negative)：掺杂施体的半导体。 多余电子吸收能量0.02eV后成为自由电子，带负电。 磷(P) 失去一个电子后，成为不可移动的正离子，带正电。 2.6 III族和V族掺杂剂 * III族掺杂：在纯硅（Si）中掺入拥有3个价电子的原子，如硼（B）原子。这个杂质会取代硅原子的位置。和邻近硅原子形成共价键时，会产生1个空位。当其他电子填补这个空位时，同时产生空穴。释放空穴的能量也是0.02V。 自由电子为 P型半导体的少数载流子，空穴为 P型半导体的多数载流子。 受体：提供空穴的杂质原子。 P型半导体(positive)：掺杂受体的半导体。 Si Si Si Si Si B 掺杂硼产生的空位 空穴 硼(B)上的空位被填补后，成为不可移动的负离子，带负电。 不同类型半导体的特性 * P型（正） N型（负） 掺杂 Ⅲ族元素（如硼B） Ⅴ族元素（如磷P） 价键 多出一个空穴 多出一个电子 多子 空穴 电子 少子 电子 空穴 p型硅与n型硅 * 下面的动画展示了p型硅与n型硅。在一块典型的半导体中，多子的浓度可能达到1017cm-3，少子的浓度则为106cm-3。少子与多子的比例比一个人与地球总的人口数目的比还要小。少子既可以通过热激发或光照产生。 2.7 载流子浓度 * 平衡载流子浓度等于本征载流子浓度加上掺杂入半导体的自由载流子的浓度。在多数情况下，掺杂后半导体的自由载流子浓度要比本征载流子浓度高出几个数量级，因此多子的浓度几乎等于掺杂的载流子浓度。 依据半导体显电中性这个特点，得到导带中的电子总数n和价带中的空穴总数p关系为： 为电离施主 为本征载流子浓度 由于大多数施主将电离，得到 。 V族掺杂 为总施主浓度。 * V族掺杂 * 该式表明少子的浓度随着掺杂水平的增加而减少。例如，在n型材料中，一些额外的电子随着掺杂的过程而加入到材料当中并占据价带中的空穴，空穴的数目随之下降。 载流子浓度 * 依据半导体显电中性这个特点，得到导带中的电子总数n和价带中的空穴总数关系为： 为电离施主 为本征载流子浓度 由于大多数施主将电离，得到 III族掺杂 为总受主浓度。 2.8 载流子的传输 * 自由载流子能在半导体晶格间移动。在一定温度下，在随机方向运动的载流子都有特定的速度。在与晶格原子碰撞之前，载流子在随机方向运动的距离长度叫做散射长度。一旦与原子发生碰撞，载流子将做无规则运动（或称为随机运动）。 尽管半导体中的载流子在不停地做随机运动，但是并不存在载流子势运动，除非有浓度梯度或电场。因为载流子往每一个方向运动的概率都是一样的，所以载流子往一个方向的运动最终会被它往相反方向的运动平衡掉。 势运动 * 2.8.1 漂移 2.8.2 扩散 2.8.1 漂移 * 由外加电场引起的载流子运动称为漂移。 加了电场之后，载流子的运动方向是原运动方向和电场方向的叠加。 空穴在电场方向将做加速运动，电子则逆着电场方向做加速运动。 动画中的粒子是空穴，运动的方向与电场方向相同 粒子是电子，运动的方向与电场方向相反 漂移 * 没有外加电场时，电子和空穴随机地在半导体中运动。加入电场后电子和空穴往相反的方向漂移。 迁移率 * 电子的迁移率μe： 式中vd为载流子在电场E作用下的漂移速度。 载流子在运动过程中受到的散射作用决定了迁移率。 主要散射机制： 1.晶格振动或声子散射； 2.电离杂质散射； 迁移率随温度T和有效质量增加而减小。 迁移率随有效质量增加而减小，随温度T增加而增加。 * 电流密度与电阻率 * 电子的电流密度Je： 式中q为电子的电量。 空穴的电流密度Jh ： 总的电流密度： 电阻率ρ： 电导率σ： 对于有电子和空穴两种载流子的半导体： 2.8.2 扩散 * 载流子往某一方向的运动的概率是相同的。在高浓度区域，数量庞大的载流子不停地往各个方向运动，包括往低浓度方向。然而，在低浓度区域只存在少量的载流子，这意味着往高浓度运动的载流子也是很少的。这种不平衡导致了从高浓度区域往低浓度区域的势运动。 扩散：载流子将从高浓度区域流向低浓度区域，是由载流子的随机运动引起的。 扩散 * 扩散现象的主要效应之一是使载