抗电磁干扰低电压CMOS放大器设计.pdfVIP

第 期 电 子 学 报 ９ Ｖｏｌ．４３ Ｎｏ．９ 年 月 ２０１５ ９ ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｓｅｐ． ２０１４ 抗电磁干扰低电压 ＣＭＯＳ放大器设计 白会新，李洪革，谢树果，苏东林 （北京航空航天大学电子信息工程学院，北京 ） １００１９１ 摘 要： 基于 体驱动，提出低电压放大器抗电磁干扰结构 电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级 ＣＭＯＳ ． 的等效输入跨导，通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性，采用双输入级结构保证放