铜锌锡硫和硫化亚锡薄膜制备及其在太阳电池中应用.pdf

铜锌锡硫和硫化亚锡薄膜的制备及其在太阳电池中的应用 摘 要 化亚锡(SnS)半导体材料粉体，再直接以其为源，利用真空热蒸发技术制备了相 仪等表征测试，研究了退火温度对CZTS和SnS薄膜的元素组成、晶体结构、 表面形貌、直接带隙以及电学性能等的影响。 结果表明，所制备的CZTS和SnS半导体材料粉体的元素组成分别为 技术所沉积的CZTS和SnS薄膜均为非晶态，退火处理不仅能其使由非晶态转 变为结晶态，还能拓宽它们的光吸收范围。随着退火温度的升高，CZTS薄膜 的结晶性变好，且在(112)晶面方向上择优生长；当退火温度达到350℃时， CZTS薄膜的表面出现了部分脱落现象；其直接带隙经退火处理后，也会由于 结晶性的变好而从退火前的1．87eV，分别降低到200℃退火的1．57eV，300℃ 退火的1．55eV和350℃退火的1．37eV。而对于所制备的SnS薄膜，由XRD 时，开始出现氧化的现象；当退火温度到400℃时，已基本被氧化成Sn02。 CZTS薄膜较适合用来进行电池器件的组装，经霍尔效应测试，其导电类型为 1．5和 p．型。所组装的结构为FTO／C