低漏电流聚吡咯铝电解电容器研制.pdfVIP

、，b1．26 第26卷第7期 电 子 元 件 与 材 料 No．7 ANDMATERIALS Jul．2007 2007年7月 ELECTRONICCOMPONENTS 低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制 马海峰1，程贤娃1一，林俊鸿1，3 摘要：采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层，研究了不同氧化剂、4一硝基酞酸加入方式对聚吡咯 电容器性能的影响。结果表明：添加4．硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流，制备出tan巧为0．012(100Hz)，屯小于 0．8此，且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器。 关键词：电子技术；聚吡咯；化学聚合；固体铝电解电容器；漏电流 中图分类号：TM535文献标识码：A 文章编号：1001—2028(2007)07一0038—04 ofaluminium wi