应力下OsSi2电子结构和光学特性研究.pdfVIP

2010 年 第 55 卷 第 9 期：746 ~ 751 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 应力下OsSi2 电子结构和光学特性研究 * 李旭珍, 谢泉 , 陈茜, 赵凤娟, 崔冬萌 贵州大学理学院, 贵州大学新型光电子材料与技术研究所, 贵阳 550025 * 联系人, E-mail: qxie@ 2009-08-18 收稿, 2009-10-28 接受 国家自然科学基金(批准号:、贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(编号: Z053114)、贵州省委组织部高层人才科研资助项目(编 号: Z053123)、科技部国际合作专项(编号: 2008DFA52210)和贵州省信息产业厅项目(编号: 0831)资助 摘要 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory)赝势法, 对各向同性形 关键词 变下 OsSi2 的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算. 计算结果表明, 当晶格常数从 OsSi2 第一性原理 96%, 100%, 104%依次进行各向同性形变时, OsSi2 的带隙逐渐减小. 当晶格参数被压缩到原来 应力 的96% 时, OsSi 的间接带隙值E =0.928 eV, 当晶格参数被拉伸到原来的104%时, OsSi 的间接 2 g 2 电子结构 带隙值Eg=0.068 eV. 其光学特性曲线向低能方向漂移, 晶格拉伸使得OsSi2 的静态介电函数增 光学特性 大而压缩使其减小; 晶格压缩可以使其吸收响应增强, 进而提高光电转换效率. 半导体材料是支撑电子信息产业发展的支柱, van Ek 等人[6]用Muffic-Tin 球轨道法(LMTO)计算出 我们已经生产了各种有用的半导体器件, 但是大部 的带隙值为 0.06 eV; 1997 年, Filonov 等人[2] 用 分半导体器件是由 III-V 族或 II-VI 族半导体材料制 Muffic-Tin 球轨道法(LMTO)计算出的带隙值为 0.95 成的, 这些用来制备半导体器件的化学元素(As, Cd, eV; 2001 年, Migas 等人[3]通过全电势线性化缀加平 Se 等)对人体都是有毒的. 20 世纪 90 年代以来, 英 面波法对OsSi2 基态的能带结构、态密度和部分光学 国、德国、日本等国科学家相继发现, 由在地壳中含 性质进行了计算和研究, 得到的带隙值为0.92 eV. 量丰富、安全、对环境的负荷又小的元素组成的金属 OsSi2 在光电子领域的应用主要以在硅基片上成 硅化物具有良好的半导体性能, 而且这些硅化物可 膜的方式, 而在硅基片上外延生长 OsSi2 薄膜时, 由 以在Si 基片上外延生长, 同时与传统的Si 工艺兼容, 于 OsSi2 的晶格常数与硅基片的晶格常数不匹配, 从 因此在光电子器件、电子器件、能量器件领域具有重 而会影响 OsSi2 薄膜的电子结构的特性, 并引起其光 要的应用前景,