集成电路设计---常用半导体器件要点.pptVIP

* * * 前面的介绍了解到平衡pn结费米能级处处相等，根据这样的原则我们能够画出平衡pn结的能带图，那么对于我们非平衡的pn结，也就是有外加偏置状态下，我们能带图又是怎么样的，其费米能级还是否是处处相等呢？答案肯定是否定的。对于非平衡状态，因为非平衡少数载流子的存在，使得费米能级在扩散区和空间电荷区发生分离，电子和空穴不再具有统一的费米能级。比如P区，扩散区非平衡少子电子的存在使得少子比平衡状态多，因此电子准费米能级向导带靠近，扩散区非平衡少子浓度越大，准费米能级向导带偏移越大。同理，n区的扩散区非平衡少子空穴使得空穴准费米能级向价带顶偏移。非平衡少子浓度越大，偏移程度越大。在空间电荷区，非平衡空穴和电子浓度都比平衡时候高，因此，电子准费米能级向导带底偏移，空穴准费米能级向价带顶偏移。空间电荷区相对于扩散区比较短，因此空间电荷区费米能级保持恒定。 * * * * * 小结 UCE=0,相当于集电极与发射极短路，也就是发射结和集电结并联，因此输入特性曲线和PN结的伏安特性曲线类似，呈指数关系。当UCE增大，曲线向右移动，这是因为随着UCE增加，集电结反向电压增大，集电结空间电荷区变宽，基区变薄，基区复合的非平衡少数载流子变小，要获得相同的ib就必须加大发射结电压，使发射区注入更多的电子到基区。而当UCE增大到一定程度，集电结电场足够强，可以将发射区注入到基区的绝大部分非平衡少子都收集到集电区，因而再增大UCE，IC也不会明显增大，也就是说ib也基本不变了。 * 对于确定的ib，当UCE增大到一定数值时，集电结电场足以将基区非平衡少数载流子绝大部分收集到集电区，UCE再增大，收集能力不能明显提高，表现为曲线几乎平行于横轴。输出特性曲线中有三个区域：截止区，饱和区，放大区。 * * * 6、异质结二极管 异质结：两种禁带宽度不同的半导体材料组成的结。 类 型：异型异质结---导电类型不同的两种材料形成的结(异质pn结) ； 同型异质结---导电类型相同的两种材料形成的结(n-n结)(p-p结) 。 异质pn结应用： 微电子器件---提高增益、频率特性、线性度，减小噪声等。 光电子器件---提高器件效率等。 主要异质结材料： 关注的主要有ＧaAs基材料，如AlxGa1―xAs/GaAs、InxGa1―xAs/GaAs； Si1―xGex/Si，等。式中x表示该元素的百分比组分。 改变x可实现禁带宽度的调控。 本节介绍异型异质结（异质pn结，简称异质结）主要物理特性和电学特性。 * 应 用 1、变容二极管（VCO） 2、分压器 * 第四章 常用半导体器件 4.3 双极晶体管 “双极”——Bi-polar 有两个P-N结——两个彼此十分靠近的背靠背的P-N结 两个结之间就会相互作用而发生载流子交换； 参加工作的 不仅有少数载流子，也有多数载流子； 晶体管的基本结构、分类和符号 Collector Base Emitter 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区： 掺杂浓度最高 集电区： 面积最大 发射结电流方向 发射结电流方向 * 1. 基本工作原理 Vf p n (Ip+In) (Ip+IVB) In–IVB +IR n VR Ip In=IR I1 I3 I2 I1=In + Ip I2=Ip + IVB - IR I3=In – IVB + IR a.基本原理 载流子输运过程: a.n区电子注入p区， 边扩散边复合-IVB； b.n区注入p的电子扩散 至反偏结空间电荷区 边界被反偏电场抽至 n区，形成电流-InC； c.p空穴注入n区， 边扩散边复合-Ip； d.反偏结反向电流-IR。 Vf p n n VR (Ip+In) (Ip+In) In Ip Ip=IR In=IR p 发射结正向偏置---发射电子 发射结正向偏置，外加电场有利于载流子的扩散运动，高掺杂发射区的多数载流子（电子）将向基区扩散（或注入）；同时，基区的多数载流子（空穴）也 向发射区扩散并与发射区中的部分电子复合。 载流子在基区的传输与复合 到达基区的一部分电子将与P型基区的多数载流子（空穴）复合，由于低掺杂的基区空穴浓度比较低，且基区很薄，所以到达基区的电子与空穴复合的机会很少，大多数电子在基区中继续传输，到达靠近集电结的一侧。 集电结反向偏置---收集电子 由于集电结反向偏置，外电场的 方向将阻止集电区的多数载流子（电子）向基区运动，但有利于将基区中扩散过来的电子，扫向集电区被集电极收集。