第一章 常用半导体器件要点.pptVIP

1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子获得能量，部分电子挣脱原子核的束缚，成为自由电子，与此同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴(hole)。 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构 1.2.2 二极管的伏安特性与参数 1.2.3 二极管的等效电路 1.2.4 其它半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.2 半导体二极管 1.2.5 特殊二极管 稳压二极管是利用PN结反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化，这一特点制成的器件。它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。 1、稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡, 电压越稳定 + - UZ 注意：稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态 动态电阻： rz 越小，性能越好. 曲线越陡,电压越稳定 稳压二极管 稳压二极管主要参数 (1) 稳定电压Uz 在规定的工作电流Iz下，所对应的工作电压。 (2) 动态电阻 (3) 最大耗散功率 PzM＝Uz×Izmax (4) 最大稳定工作电流 Izmax,最小稳定工作电流 Izmin 注意：稳压二极管使用一定要有限流电阻,RL与稳压管是并联 作业： P69~70 3、4、5、6、7 规范解题步骤： 抄题、画图、引用公式、运算解答 1.3.1 BJT的结构简介 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 1.3.3 BJT的特性曲线 1.3.4 BJT的主要参数 三极管的结构特点: 1.3.1 BJT的结构简介 1、发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。 2、基区很薄(1μm~几μm)且浓度很低。 3、集电区面积基区面积发射区面积。 NPN管的符号 PNP管的符号 e b c 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 1. 各极的作用： 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基 区：传送和控制载流子 发射区：发射结正偏多数载流子参与导电 集电区：集电结反偏少数载流子参与导电 基 区：多数、少数载流子都参与导电 2. 各极的导电载流子 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 3. 晶体管内部载流子的运动 ①发射结正偏: 扩散电流 和 (可忽略)， 发射极电流 ② 注入基区，少量和空穴复合形成 。大部分到达了集电区的边缘。 ③集电结反偏: 扩散到集电结边缘的电子到达集电区，形成漂移电流 ④集电结反偏形成少子漂移电流 (可忽略) 4. 电流分配关系 根据载流子的运动过程，忽略影响较小电流，可得晶体管电流关系: 其值约为：0.9～0.99。 共基直流电流放大系数 Common-base DC current gain 定义 定义： 共射直流电流放大系数 Common-emitter DC current gain 穿透电流 C-E cut-off current 定义： 共射交流电流放大系数 Common-emitter current gain 假设： 变化时， 不随之变化，则： 常用值：几十～几百 说明： β由材料和掺杂浓度以及工艺有关，反映三极管电流放大倍数 1.3.3 BJT的特性曲线 一、共发射极输入特性： 共发射极输入特性曲线 共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 二、共发射极输出特性： 共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 * *