共蒸发三步法制备CIGS薄膜性质.pdfVIP

第 27 卷 　第 8 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 8 2006 年 8 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Aug . ,2006 共蒸发三步法制备 CIGS 薄膜的性质 敖建平 　孙 　云 　王晓玲 　李凤岩 　何 　青 　孙国忠 　周志强 　李长健 ( ( ) ) 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 , 光电信息技术重点实验室 南开大学 , 天津大学 , 天津 　30007 1 摘要 : 采用 PID 温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度 , 以三步法工艺制备 CI GS ( Cu ( In , Ga) Se2 ) 薄膜 ,通过恒功率加热衬底测试温度的变化 ,可实现在线组分监测 ,得到 CI GS 薄膜的组成重现性很好. CI GS ( ) 薄膜的表面光洁 ,粗糙度多数小于 10nm . 但是组成相同的 CI GS 薄膜 ,其结晶择优取向可能不同 ,主要有 112 和 (220) / (204) 两种 ;其结晶形貌也有很大的不同 ,晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高 ,虽然从 Cu/ ( In + Ga) 1 的 组成可以认为 CI GS 薄膜为贫 Cu 结构 ,但 Hall 测试多数 CI GS 薄膜呈 p 型 ,少数呈 n 型. 关键词 : 共蒸发 ; Cu ( In , Ga) Se2 (CI GS) ; 三步法工艺 ; 薄膜太阳电池 PACC : 7340L ; 7360 F ; 7360L 中图分类号 : TM 9 144 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 薄膜 , 化学水浴法制备 C dS 薄膜 , 电池效率最高达 1 　前言 到 12 10 %[ 5 , 6 ] . 但是 , 共蒸发制备 CI GS 设备的可 控性和重现性差. Cu ( I n , Ga) Se2 ( 简称 CI GS) 化合物半导体材料 本文在前期研究的基础上 , 进一步改进了蒸发 具有直接带隙结构 , 吸收系数高 、稳定性好 , 是制备 源及衬底加热装置的结构 , 利用 PI D 温度控制仪控 高效薄膜太阳电池最有前途的材料之一. 用真空蒸 制各蒸发源和衬底加热器 , 使 CI GS 共蒸发过程的 ( ) 温度可以精确控制. 以共蒸发三步法制备的 CI GS 发沉积 PV D 的 CI GS 基薄膜太阳电池的光电转换 效率已达到了 195 %[ 1 ] , 是所有薄膜太阳电池中最 薄膜 , 其中第二步和第三步采用恒功率加热衬底 , 使 高的. 制备 CI GS 薄膜的方法很多, 目前使用较多的 设备的可控性及重现性大大提高. 同时,研究了工艺 是共蒸发法和后硒化法. 共蒸发法是在真空室内用 参数对 CI GS 薄膜的性质和电池输出特性的影响. 四个以上的独立蒸发源同时向衬底蒸发 Cu , I n , Ga 和 Se , 反应沉积 CI GS 薄膜. 蒸发