复合磁电材料及掺杂Bi,4Ti,3O,12铁电薄膜结构与性能研究.pdfVIP

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  • 2016-03-18 发布于河北
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复合磁电材料及掺杂Bi,4Ti,3O,12铁电薄膜结构与性能研究.pdf

复合磁电材料及掺杂Bi,4Ti,3O,12铁电薄膜结构与性能研究.pdf

摘 要 本文分为两部分,分别研究了复合磁电材料和掺杂Bi4Ti3O12铁电薄膜的结构 与性能。 第一部分的研究对象是复合磁电材料。所谓磁电效应就是材料在外磁场作用 下的电极化,或在外电场作用下的磁化。单相磁电材料的磁电效应很小,而且通 常在低温下才一能实现,因而无法实际应用。复合磁电材料相对于单相材料其磁电 效应大大提高。它由磁致伸缩相和压电相两部分材料复合而成,通过压电效应和 磁致伸缩效应在相界面的应力传递来实现磁一力与力一电的祸合,从而实现磁电效 应。本部分研究了2一2型复合磁电材料LINbO31产Terfello卜D的磁电性能并对LINbO3 晶体进行了优化切型设计;对0一3/3一3型复合磁电材料PvDF月子e3O4的结构与性能 进行了研究,并基于该材料对磁致伸缩相与压电相的褐合方式进行了新的探索。 主要内容如下: ()1研究了2一2型复合材料LINbO3/介rfenol一D的磁电祸合系数对交流激励 磁场频率和直流偏磁场大小的相应关系,发现该材料具有多个最优化偏磁场。低 磁场范围的最优化偏磁场位置固定于0.skoe处,而另一个最优化偏磁场的位置 随频率的变化而变化。通过高斯分峰拟合,发现在kI一180Hkz频率范围内均存 在这一奇特现象

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