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半导体器件物理习题解答.ppt
已知P沟MOSFET的沟道长度L＝10微米，沟道宽度W＝400微米，栅氧化层厚度Tox＝ 150nm，阈值电压VT＝－3V，衬底杂质浓度1×1015cm－3，求（1）栅源电压VGS＝－7V时，MOS管的漏源饱和电流；（2）在上述条件下，当VDS等于多少时沟道夹断？ 答： * 计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其NA＝1018cm-3和ND＝1015cm-3． ? 解 由式 得到 或由右图得到 一硅单边突变结，其NA＝1019cm-3，ND=1016cm-3，计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场(T＝300K)． 解：由 可得 解: 由 计算硅p-n结二极管的理想反向饱和电流，其截面积为2×10-4 cm2．二极管的参数是：NA=5×1016cm-3， ND=1016cm-3， ni=9.65×109cm-3， Dn=21 cm2/s， Dp=10 cm2/s，?p0= ?n0= 5×10-7 s. 得到： 和 由截面积A=2×10-4 cm2得到： 已知在一理想晶体管中，各电流成分为：IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99mA、ICn=0.001mA。 试求出下列各值： (a)发射效率?0； (b)基区输运系数?T； (c)共基电流增益?0； (d)ICBO。 解 （a）发射效率为 （b）基区输运系数为 （c）共基电流增益为 （d） 所以 一个理想的p+-n-p晶体管，其发射区、基区和集电区的掺杂浓度分别为1019cm-3、1017cm-3和5×1015cm-3，而寿命分别为10-8s、10-7s和10-6s，假设有效横截面面积A为0.05mm2，且射基结正向偏压在0.6V，其他晶体管的参数为DE=1cm2/s、Dp=10cm2/s、DC=2cm2/s、W＝0.5μm。 试求晶体管的共基电流增益。 解： 在基极区域中 在发射极区域中 因为W/Lp=0.051，各电流成分为 共基电流增益?0为 已知在一理想晶体管中，各电流成分为：IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99mA、ICn=0.001mA。求出共射电流增益β0，并以β0和ICBO表示ICEO，并求出ICEO的值。 解： 发射效率为 基区输运系数为 共基电流增益为 因此可得 所以 已知某硅NPN缓变基区晶体管的基区宽度WB＝0.5微米，基区少子扩散系数DB＝20cm2s-1，基区自建场因子η＝10，试计算该晶体管的基区渡越时间τb。 2、某高频晶体管的β＝50，当信号频率f为30MHz时测得其|βω| ＝5。试求： （1）该晶体管的特征频率fT。 (2)当信号频率f分别为15MHz和60MHz时该晶体管的|βω|值。 *
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