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锗硅外延工艺的调试与优化.pdf
目 录
摘 要
Abstract
引 日
第一章 导 论
1．1HBT
SiGe技术发展 一8
1-2锗硅外延的性质 10
1．2．1锗硅的晶体结构 10
1．2．2应变与弛豫 1l
1．2．3临界膜厚 13
1．2．4器件用锗硅的基本结构 14
1．3SiGe生长技术 16
1．3．1表面带0备～一一…一…一——…一一一——……16
1．3．1．1热脱附清洗技术(Thermal
DesorptionCleaning)…一16
1．3．1．2 17
HF—Last清洗
1
1．3．1．3在氢气氛围中的热脱附 8
1．3．2
SiGe薄膜生长反应 19
1．4SiGe
HBT的电学特性 9
1．5本文工作的目的和论文内容的安排 1
第二章 实验装置介绍及相关参数测试 2
2．1装置介绍
2．1．1腔体加热系统
2．1-2基座旋转系统
2．1．3气体传输系统
2．2相关参数测试
2．2．1腔体温度的校准
2．2．2颗粒
2．2．3本征扩展电阻率形貌
2．2．4
c／o含量和金属离子粘污测试
2．2．5基座中心化的确认 1吃吃坦忽鹳孔筋筋船舱凹勰
第三章 单一锗组分的锗硅外延 3l
3．1使用程序的描述 ’31
3．2工艺响应确认和工艺优化 32
3．2．1试验设计方案 32
3．2．2实验结果分析 33
3．2．2．1 夏玎J影啊
3．2．2．2 的影响 0II“。111 删 111III 1lI
3．2．2．3 『翱n—TT法旦-‘幽刨曲 V1967780
第四章 渐变锗组分的锗硅外延
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