微机原理及接口技术要点.pptVIP

第五章 半导体存储器及其接口 Flash是一种新型的非易失性存储器，其存储的内容不像RAM那样需要电源支持才能保存，但与RAM一样具有在线可写性。 Flash可以用软件在线写入，一旦写入即相对固定。值得注意的是Flash可以整体或部分快速写入和擦除，写入和擦除同时完成。但不能像RAM那样按字节写入。随着技术的发展，Flash的单片容量大，易于修改，所以目前广泛用于主扳的ROM BIOS及其他ROM中。 Flash存储器是Intel公司在上世纪80年代末期推出的一种新型存储器，同E2PROM一样可以在线擦除，但整体擦除时问比E2PROM快3个数量级以上，且具有集成度高、价格低、功耗低、极强抗干扰能力等优点。 常用的Flash存储器有： 28F156(32K * 8bit)、28F512(64K * 8bit)、 28FOIO(128K * 8bit)、28F020(256K * 8bit)、 28F004(4M位)、28FO08(8M位)、28F016(16M位)、 28F032(32M位)等。 所构成闪速存储器(U盘)使用时可带电插拔、即插即用。运行环境可为Windows98/ME/XP以及Linux2.4等操作系统。 FLASH Flash存储器的基本电路由一只CMOS管构成，依旧使用浮空栅极FG上有无电荷代表0或1。栅极为字线，漏极为位线，源极为源线。 擦除原理为在字线栅极上加高电平，源、漏极之间形成导电沟道，浮空栅极上有感应电荷，这种稳定状态可代表0或1。如果字线栅极上无高 电平，源、漏极之间没有导电沟道，则浮空栅极上无感应电荷，这种稳定状态可代表1或0。 状态转换过程十分简单，如果有导电沟道存在，则浮空栅极上有感应电荷，这时只需撤走源、栅极间电压，加一正向电压，导电沟道即消失，浮空栅极上的感应电荷也消失。 据测试，正常使用情况下，浮空栅极上编程的电荷可以保持100年而 不消失。 FLASH Memory从结构上分上要有NOR、NAND、AND等。 NOR 1、拥有独立的数据总统和地址总线，允许系统直接从Flash 中读取代码执行。 2、可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，能快速随机读取，擦除和编程速度较慢。 NAND 1、适用于字节串行操作(如:存储卡、固态存储盘)，正成为闪速磁盘技术的核心。 2、具有块编程和块擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。 3、数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。 4、芯片尺寸小，引脚少，是位成本最低的固态存储器。 AND 采用0.18um的制造工艺，生产出的芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低。 5.3 半导体存储器的接口设计 前面介绍了存储器的基本电路原理和一些存储器芯片。计算机中对存储器位数和容量的需要视系统大小、性能决定，而各种型号的存储器芯片的存储单元数和每个单元中的位数均有所不同。如何用各种性能的存储器芯片构成系统所需要的存储区，是本节要讨论的问题。在这里需要解决以下两个问题。 1、如何选择容量小或位数少的存储器芯片组成系统需要的定容量、定位数(字长)的存储区。 2、如何设计存储器接口电路。 步骤 1、选择存储器芯片； 2、地址分配； 3、地址译码； 4、CPU与存储器芯片的信号连接。 5.3.1 半导体存储芯片的选择芯片类型的选择A.一般情况下，一个微机系统RAM和ROM均有，对于固定的程序和数据表格，应选择ROM芯片。B.对于需要暂存数据时，则应选择RAM芯片。SRAM适于小系统及高速缓存，无需刷新电路，接口电路简单、DRAM适于大容量系统，如计算机中的内存。C.还需要考虑芯片型号、单片容量、功能、电源供电、读写速度、价格等。当存储器的速度低于CPU时，应加等待信号；高于CPU时，则成本相对较高。芯片数量的确定 存储芯片有1位片、4位片、8位片等，其存储容量也各不相同。若构成计算机系统的存储器采用1位片芯片需8片，采用4位片芯片需2片，采用8位片芯片需1片。 用位数不同的存储器芯片组成8位或16位的存储器，可用位并联方法，即用若干个芯片并联在一起构成所需要的位数。如用lK*1位的存储器芯片组成1K*8位的存储器，可用8片1K*l位的芯片并联起来。 芯片扩充之位数扩充每个芯片的地址线和控制线复接在一起，而数据线分别接到数据总线的各位。图为用1K*1位的芯片组成1K字节存储器，需用8片1K*1位的芯片，如果用1K*4位的芯片，只需2片就可以了。芯片扩充之容量扩充用容量较小的存储器芯片组成容量较大的存储器，可用地址串联法，即用若干