原位生的长碳纳米管对化学气相沉积sic涂层的影响.pdfVIP

第21卷第2期 中国有色金属学报 2011年2月 V 1．2lNo．2 TheChineseJournalofNonferronsM etals Feb．2Ol1 文章编号：1004．0609(2011)02．0418．07 原位生长碳纳米管对化学气相沉积 SiC涂层的影响 李 军，谭周建，张 翔，廖寄乔 (中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083) 摘 要：以碳／碳复合材料为基体，MTS为先驱体原料，采用化学气相沉积法在复合材料表面制备 CNT-SiCS／iC 复合涂层；研究原位生长的碳纳米管(CNTs)对 SiC沉积速度和微观形貌的影响。结果表明：CNTs加快 SiC的沉 积，涂层的平均质量增加速率提高5％，提高沉积的均匀性，且晶粒更细小；经 1100℃恒温氧化 10h后，单一 SiC涂层、CNT-SiC／SiC涂层的质量损失率分别为41．11％和34．32％；经(1100℃，3min)一 (室温，3min)热循环 15次后，单一SiC涂层和CNT-SiC／SiC涂层的质量损失率分别为33．17％和30．25％，部分区域涂层脱落及涂层表 面形成的气孔是涂层试样质量损失的主要原因。 关键词：碳 ／碳复合材料；CNT-SiC／SiC复合涂层；碳纳米管；化学气相沉积；氧化 中图分类号：TB332 文献标志码：A Effectofin—situcarbonnanotubesonchem icalvapor depositionSiC coatings LIJun，TANZhou-jian，ZHANGXiang，LIAOJi—qiao (StateKeyLaboratoryofPowderMetallurgy,CentralSouthUniversity,Changsha410083，China) Abstract：TheCNT-SiC／SiC composite coating wasdeposited on carbon／carbon compositesby chemicalvapor deposition(cvD)withmethyltrichlorosilane(MTS)astheprecursor．TheSiC depositionrateandsurfacemicro— morphology ofthein—situ growth CNTssamplewereinvestigated．Theresultsshow thatCNTsacceleratestheSiC depositionrateandimprovesthedepositionuniformiyt,theaveragemassgainrateisimprovedby5％andfinergrainSiC isobtained．Afteroxidationat1100℃ for10h，themasslossesofthesingleSiC andCNT-SiC／SiCcoatedsamplesare 41．11％and34．32％，respectively．Afterthemr alcyclingbetween(1100℃，3min)and(roomtemperature，3min)ofr15 times，themasslossesofthesingleSiC andCNT-SiC／SiC coatedsamplesare33．17％ and30．25％，respectively．The masslossofhtecoatedsamplesismainlyresultedfrom htedebondingofsomecoatingandthefomr ationofholesonthe coatingsurface． Keywords：carbon／carboncomposites；CNT-SiC／SiC composit