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* （7）运行安全: PVD是一种完全没有污染的工序，有人称它为“绿色工程”。而CVD的反应气体、反应尾气都可能具有一定的腐蚀性、可燃性及毒性，反应尾气中还可能有粉末状以及碎片状的物质，因此对设备、环境、操作人员都必须采取一定的措施加以防范。 两种工艺的对比 沉积的薄膜材料 选择膜/基体系时，应考虑膜/基之间的相互作用。 硬质镀层主要用于受力、耐磨的工况下，如切削刀具工作时刀尖和切削刃附近会产生非常大的作用力和很高的温度，结合强度要能承受这种作用力。 硬质材料可以按照其化学特性分成三个组： 金属键（M）：金属键材料具有较好的综合性能。过渡金属的氮化物（N）、碳化物（C）和硼化物（B）在硬质材料中占有特别重要的地位。 共价键（C）：共价键材料具有最高的硬度，金刚石、立方氮化硼和碳化硼均在此组内。 离子键（I）：离子键材料具有较好的化学稳定性。 沉积的薄膜材料 沉积的薄膜材料 思考题 PVD 基本镀膜技术是哪几种？这几种技术的主要区别？ CVD 的主要特点和用途？ 以镀制刀具为例，比较PVD 和 CVD 的工艺和技术 如何采用 PVD 或 CVD 方法制备纳米级的多层和多相复合膜？ 由于传统的CVD沉积温度大约在800℃以上，所以必须选择合适的基体材料。 例如，大部分钢就不合适：应力，相变等 常用的基体包括： 各种难熔金属（钼常被采用）、石英、陶瓷、硬质合金等。 当沉积温度低于700℃时，也可以钢为基体，但对钢的表面必须进行保护，一般用电镀或化学镀的方法在表面沉积一薄层镍。 CVD的特点 CVD 镀层可用于要求耐磨、抗氧化、抗腐蚀以及有某些电学、光学和摩擦学性能的部件。 对于耐磨硬镀层一般采用难熔的硼化物、碳化物、氮化物和氧化物。 在耐磨镀层中，用于金属切削刀具占主要地位。满足这些要求的镀层包括TiC，TiN，Al2O3，TaC，HfN 和 TiB2 以及它们的组合。 除刀具外，CVD镀层还可用于其它承受摩擦磨损的设备，如泥浆传输设备、煤的气化设备和矿井设备等。 CVD的特点 金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） MOCVD是常规CVD技术的发展。它用在相当低的温度下能分解的金属有机化合物作初始反应物。 MOCVD的优点是可以在热敏感的基体上进行沉积； 其缺点是沉积速率低、晶体缺陷密度高、膜中杂质多。 在这种技术中把欲镀膜层的一种或几种组分以金属烷基化合物的形式输送到反应区，而其它的组分可以氢化物的形式输送。其它的初始反应物，如氯置换的金属烷基化合物或配位化合物也可采用。 已经用金属有机化合物沉积了氧化物、氮化物、碳化物和硅化物镀层。许多金属有机化合物在中温分解，可以沉积在如钢这样一类的基体上。所以这项技术也被称为中温CVD（MTCVD）。 普通的CVD技术所需要的反应温度比较高，等高子体增强化学气相沉积法却不同。 它借助于气体辉光放电产生的低温等高子体来增强反应物质的化学活性，促进气体间的化学反应，从而能在较低温度下沉积出优质镀层。 等离子体增强化学气相沉积 CVD技术中最有发展前途的一种方法，即等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。 图示为PECV D装置示意图，将工件置于低气压辉光放电的阴极上，然后通入适当气体。 在一定的温度下，利用化学反应和离子轰击相结合在工件衬底上沉积成膜。 等离子体增强化学气相沉积 PECVD促进反应的能量首先是来自于等离子体激活，另外也要求一定的温度条件。 产生等离子体的方法可以用直流高压(DC)、高频(RF)、高频加直流(RF十DC)等电源。 激活源的频率有几百千赫、几兆赫至几百兆赫的，即用所谓高频源、射频源和微波谐振源等。 等离子体增强化学气相沉积 PECVD促进反应的能量首先是来自于等离子体激活，比普通CVD的热激活要有效得多。 等离子体激活比普通CVD的热激活要有效得多。 在辉光放电的阴极辉光区中，存在剧烈的气体电离，并发生阴极溅射，这为沉积薄膜提供了清洁而活性高的表面。 放电时电子与气体产生碰撞。 如碰撞是弹性的，则分子的动能增加，气体温度上升。 如是非弹性的，则引起分子的分解、自由基化、激发、电离和离解等过程。 这些活性组分导致化学反应，生成反应产物，同时放出反应