第四章光检测器与光接收机！.pptVIP

除此之外，光电二极管中还有表面漏电流。表面漏电流是由于器件表面物理特性的不完善，如表面缺陷、不清洁和加有偏置电压而引起的。漏电流的均方值可表示为： IL为漏电流平均值 漏电流和暗电流一样，都只能通过合理设计、良好的结构以及严格的工艺来降低。 任何电阻都具有热噪声，只要温度高于绝对零度，电阻中大量的电子就会在热激励下作无规则运动，由此在电阻上形成无规则弱电流，造成电阻的热噪声。均方热噪声电流为 ： 式中，R为等效电阻，T为绝对温度，k为玻尔兹曼常数。 因此，光电二极管的总均方噪声电流为： 量子噪声不同于热噪声，它伴随着信号的产生而产生，随着信号的增大而增大。当没有光入射时，信号消失，量子噪声也同时消失。 3）雪崩光电二极管（APD） a、雪崩光电二极管的结构 当耗尽区中的场强达到足够高时，入射光产生的电子或空穴将不断被加速而获得很高的能量，这些高能量的电子和空穴在运动过程中与晶格碰撞，使晶体中的原子电离，激发出新的电子—空穴对。这些碰撞电离产生的电子和空穴在场中也被加速，也可以电离其它的原子。 经过多次电离后，载流子迅速增加，形成雪崩倍增效应。 APD就是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。 下图为一种被称为拉通型APD（RAPD）的结构。 π层为低掺杂区（接近本征态），而且很宽。当偏压加达到一定程度后，耗尽区将被拉通到π层，一直抵达P+层。 这是一种全耗尽型结构，具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。 一种称为拉通型APD(RAPD)的结构图 (a)RAPD的结构示意图;(b)场分布示意图 动画演示 倍增的高电场区集中在pn+结附近窄的区域内。随着偏置电压的增加，结区的耗尽层逐渐加宽，直到p区的载流子全部耗尽，是p区成为耗尽区。进一步加大偏置电压，耗尽区逐渐扩大，直至“拉通”到整个π区。 π区较宽以提高量子效率。 π区电场比pn+结区电场低。 入射光子在π区吸收后建立一次电子－空穴对，其中电子在电场作用下向pn+结漂移，并在pn+结区内产生雪崩倍增；一次空穴则直接被P+吸收。 b、雪崩光电二极管的特性 与PIN相比，雪崩光电二极管的主要特性也包括波长响应范围、量子效率、响应度、响应速度等。 除此之外，由于APD中雪崩倍增效应的存在，APD的特性还包括雪崩倍增特性、倍增噪声、温度特性等。 1)倍增因子 定义倍增因子g为APD输出光电流Io和一次光生电流Ip的比值： g值随反向偏压、波长和温度而变化。显然，APD的响应度比PIN增加了g倍。 现在APD的g值已达到几十甚至上百。 2) 噪声特性 APD中的噪声除了量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声之外，还有附加的倍增噪声。 雪崩倍增效应不仅对信号电流有放大作用，而且对噪声电流也有放大作用。同时雪崩效应产生的载流子也是随机的，所以会引入新的噪声成分。 用附加噪声因子F(大于1）可描述雪崩效应的随机性所引起的噪声增加的倍数。 通常附加噪声因子可表示为 ： F=g x 式中，x称为附加噪声指数，反映了不同材料的APD的附加噪声的大小。 对于Si，x=0.3~0.5；对于Ge，x=0.6~1.0；对于InGaAsP，x=0.5~0.7。 APD中表面漏电流不被倍增，热噪声与PIN的特性相同。 量子噪声为： 暗电流噪声为 3)温度特性 当温度变化时，原子的热运动状态发生变化，从而引起电子、空穴电离系数的变化，使得APD的增益也随温度而变化。随着温度的升高，倍增增益下降。 为保持稳定的增益，需要在温度变化的情况下进行温度补偿。 第三节 数字接收机 一、数字光接收机的组成 数字光接收机的组成如下图所示，主要包括光检测器、前置放大器、主放大器、均衡器、时钟提取电路、取样判决器以及自动增益控制（AGC）电路等。 数字光接收机组成框图 前置放大器是低噪声放大器，它的噪声对光接收机的灵敏度影响很大。前置放大器的噪声取决于放大器的类型。主放大器一般是多级放大器，它的作用是提供足够的增益，并通过它实现自动增益控制（AGC），以使输入光信号在一定范围内变化时，输