第一章单晶材料的制备-精要.pptVIP

晶体的截面形状和尺寸则为模具顶部边缘的形状和尺寸所决定，而不是由毛细管狭缝决定。 EFG法生长蓝宝石晶体过程示意图 导模法生长晶体时晶体不旋转 11、液封提拉（LEC）技术 液封提拉法实际上是一种改进了的直拉法，它是专为生长具有挥发性的III-V族化合半导体材料而发展起来的。 Liquid Encapsulant Czochralski, LEC InP单晶的生长 In：易熔化（熔点：156oC），蒸汽压比较高。 赤P：易升华（熔点：590oC），416oC升华。 磷未熔化就升华 问题： In l +P g InP s InP熔点：1070oC 作业 1、简述晶体生长过程中的能量守恒方程及控制晶体直径的四种方式。 2、晶体直径自动控制技术包括哪两种，各自原理是什么？ 3、简述导模技术和液封提拉（LEC）技术的原理。 第一章 单晶材料的制备 ——提拉法 缩颈 收尾 等径 扩肩 下籽晶 为了在生长过程中承受更大重量的硅单晶体，必须采用更大的缩颈直径。生长直径在300mm、质量超过300kg的硅单晶时，缩颈部分的直径不能小于8mm。拉伸实验表明颈部晶体发生断裂时为脆性断裂，由于应力集中的原因，断裂常发生在颈部与肩部结合处。晶体颈部及肩部的生长条件对晶体的抗拉强度有重要影响。 生长质量低于100kg的硅单晶时，缩颈部分的直径一般为3mm。由于缩颈的强度问题，难以生长太重的单晶。 8、直拉法生长晶体的温场和热量传输 8.1、炉膛内温场 8.2、晶体生长中的能量平衡理论 8.3、晶体直径控制 8.1、炉膛内温场 不同介质 不同的温度 同一介质 温度也不一定是均匀分布 温度的空间分布 温场 非稳温场 稳态温场 等温面 固—液界面 它是直拉法单晶炉的温场内的一个十分重要的等温面，该面的温度为熔体的凝固点，温度低于凝固点，熔体凝固，温度高于凝固点，熔体仍为液相，因此，这个特定的面又叫固相与液相的分界面，简称固—液界面。 炉膛中的温度随时间而变化，也就是说炉内的温场是空间和时间的函数，这样的温场称为非稳温场 若炉内的温度不随时间而变化，这样的温场称为稳态温场 若将温场中温度相同的空间各点联结起来，就形成了一个空间曲面，称为等温面。 若炉膛中的温场为稳态温场，则炉膛内各点的温度只是空间位置的函数，不随时间而改变，因而在稳态温场中能生长出优质晶体。 由于单晶炉内的温场存在温度梯度，存在热量流和热量损耗，导致温场稳态温场的变化。因此要建立稳态温场，就要补偿炉内热量损耗。 8.2、晶体生长中的能量平衡理论 能量守恒方程 设闭合曲面中的热源在单位时间内产生的热量为Q1 在热能传输时间净流入闭曲面中的热为Q2 闭合曲面内的单位时间内温度升高所吸收的热量Q3 Q1+Q2 Q3 若不考虑晶体生长的动力学效应，固—液界面就是温度恒为凝固点的等温面 Q3 0 Q1+Q2 0 晶体生长过程，在闭合柱面内的热源是凝固潜热，若材料的凝固潜热为L，单位时间内生长的晶体质量为m，于是单位时间内闭合曲面内产生的热量Q1为： 净流出此闭合柱面的热量-Q2为： Qs等于单位时间内通过晶体耗散于环境的热量，即热损耗； QL是通过熔体传至固液界面的热量，是比例于加热功率的。 8.3、晶体直径控制 晶体生长速度：单位时间内固-液界面向熔体中推进的距离 在直拉法生长过程中，如果不考虑液面下降速率，单位时间内新生长的晶体质量为 ： a. 控制加热功率 增加加热功率，QL增加，晶体截面面积减小，相应的晶体变细； 减小加热功率，晶体变粗。 放肩阶段 收尾阶段 加热功率 加热功率 等径生长阶段 不断调整加热功率，弥补QS b. 调节热损耗QS 氧气通过石英喷嘴流过晶体，调节氧气流量，可以控制晶体的热量损耗，从而控制晶体的直径。 一是降低了环境温度，增加热交换系数，从而增加了晶体直径的惯性，使等径生长过程易于控制； 二是晶体在富氧环境中生长，可以减少氧化物晶体因氧缺乏而产生的晶体缺陷。 优点 c. 利用帕尔贴效应 用两块不同的导体联接成电偶，并接上直流电源，当电偶上流过电流时，会发生能量转移现象，一个接头处放出热量变热，另一个接头处吸收热量变冷，这种现象称作帕尔帖效应。 由于在固—液界面处存在接触电位差，当电流由熔体流向晶体时，电子被接触电位差产生的电场所加速，固—液界面处有附加的热量放出（对通常的焦耳热来说是附加的），即帕尔贴致热； 当电流由晶体流向熔体时，固—液界面处将吸收热量，这就是帕尔贴致冷。 帕尔贴致热 帕尔贴致冷 缩径和收尾 放肩 d. 控制提拉速率 在加热功率和热损耗一定时，拉速大直径小。 实际应用时，拉速变化可引起溶质的瞬态分凝，从而影响晶体质量，故实践中一般不用拉速来控制晶体直径。 人工直接用眼睛观察