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第八章 外延 定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。 外延生长分类 根据外延层性质 根据外延生长方法： 根据向衬底输运外延材料的原子的方法不同 真空外延、气相外延、液相外延 §8.1 Si外延原理 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。 即利用硅的气态化合物，在加热的硅衬底表面与氢气发生化学反应或自身发生热分解，还原生成硅，并以单晶形式淀积在硅衬底表面。 硅外延生长工艺的优点1、生长温度比它本身的熔点要低2、可以获得纯度高、缺陷少的单晶薄层3、由于掺杂工艺灵活，可以获得多种结构的单层或多层外延，便于器件参数和结构的调整 气相外延法生长Si半导体膜所用原料气体、反应式、生长温度及所属反应类型 硅片上外延生长硅 气相外延生长过程包括： （1）反应剂（SiCl4+H2）分子以扩散方式从气相转移到生长层表面 （2）反应剂分子被生长层表面吸收； （3）被吸附的反应剂分子在生长层表面完成化学反应，产生硅原子及其他副产物； （4）副产物分子从表面解吸； （5）解吸的副产物分子以扩散的方式转移到气相，随主气流排出反应室外； （6）反应生成的硅原子定位于晶格点阵，形成单晶外延层。 SiCl4+2H2 ? Si+4HCl 另外还会发生SiCl4＋ Si??2SiCl2 2.温度 在低温时，生长速率随温度指数增加，在高温时，生长温度对生长速率的影响减小。 §8.2 外延层中杂质的分布 §8.2.2 扩散效应 §8.2.2 扩散效应 §8.2.3 自掺杂效应 §8.2.3 自掺杂效应 §8.2.3 自掺杂效应 §8.3 选择外延 横向超速外延 §8.4 SiH4 热分解外延法 §7.4 SiH4 热分解外延法 §8.5 SOS技术 SOS外延的影响因素 §8.6 分子束外延 §8.6.1 MBE系统的结构 §8.6.2 高能电子衍射的运用RHEED §8.6.3 Si MBE §8.7 外延生长的参数 §7.8 外延生长的参数 外延层的不完整性 §8.8层错、图形漂移及利用层错法测量厚度 §8.8.2 利用层错测量薄膜厚度 §8.8.3 图形的漂移与畸变 §7.9 外延层电阻率的测量 作业 1 Si外延生长的原理 气相外延，固相外延，液相外延的概念及区别。 SiCl4氢气还原法反应方程，生长的过程，简述反应速率和温度，晶向，反应剂浓度和气体流速的关系。 2 外延薄膜的生长模型及气相外延过程。 3 Si外延生长中的自掺杂效应 气相掺杂，界面原子扩散，杂质的再分布的定义，及改进措施是什么。 4 选择外延的定义及分类。 5 其它外延技术简介 SOI技术的概念和特点。 分子束外延（MBE）的概念，SiH4热分解外延等外延的概念和优点。 §7.8.1 层错 外延层的缺陷又可以分为面缺陷与体缺陷 表面缺陷主要有：云雾状表面、角锥体、划痕、星状体、麻坑等。 体内缺陷主要有：位错和层错。 层错也称堆积层错，是外延层上最常见而又容易检测到的缺陷，是由原子排列次序发生错乱所引起的。 堆积层错是一种面缺陷。面缺陷数目不同，在外延层表面可能显示出如图7.17所示的三种情况。图中示出一道边，两道边和由三道边围成的三角形缺陷。当两个或多个层借相遇时可能构成更为复杂的图案。 由于层错源于衬底处的缺陷，因此测得层错在表面的长度后可根据下式计算外延层厚度： (7.9) 在外延生长之前，因工艺需要硅表面可能存在凹陷图形， 外延生长后应该重现完全相同的图形。但是外延生长完成之后，常常出现原来图形的漂移，畸变甚至完全消失。具体情况依赖于衬底取向、淀积率、反应室的工作压强、反应系统的类型、外延温度和硅源的选择等。Si的生长与腐蚀的各向异性是出现以上情况的根本原因。 前面已经提到，电阻率的均匀性是衡量外延层质量的重要标准。检测电阻率的方法很多，有扩散电阻法，CV法，四探针法等。电科专业相对应有相关的实验课程，这里就不多做介绍了。 * * 正外延：在低阻衬底上生长高阻外延层，器件制作在外延层上 反外延：在高阻衬底上生长低阻外延层，器件制作在高阻衬底上 同质外延：外延层与衬底同种材料 如Si/Si、GaAs/GaAs 、GaP/GaP; 异质外延：外延层与衬底不同材料 如Si/Al2O3、GaS/Si、GaAlAs/GaAs； 直接外延 间接外延 是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得能量，直接迁移沉积在衬底表面上完成外延生长.如真空淀积，溅射，升华等 是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层，广义上称为化学