高性能功率型LED电极的研究课件.ppt

高性能功率型LED电极的研究 课题来源 广东省关键领域重点突破项目 白光LED器件和应用产品关键技术研究和产业化 项目编号：2B2003A07 研究意义—LED优良性能 具有发热量低、耗电量小、寿命长、环保无汞污染、耐冲击不易破、废弃物可回收，是理想的普通照明光源. 体积小、反应速度快、可平面封装、易开发成轻薄短小产品等优点 研究意义—LED应用 研究意义—LED应用 白光照明和传统照明的比较: 各国对LED照明产业的计划 实现白光照明的三种方法及各自优缺点 R/G/B三基色合成:理论上可以获得各种颜色的光 和宽谱带白光.缺点是随温度/电流变化不一致. UV LED+R．G．B荧光粉:易获得颜色一致的白光，因为颜色仅仅由荧光粉的配比决定,还可以获得很高的显色指数(90).缺点是高功率UVLED不易制作,紫外光损坏封装材料,有紫光泄漏的安全隐患. 蓝光LED十YAG荧光粉:蓝LED发光管结构简单,制作工艺相对容易，而且YAG荧光粉已经在荧光灯领域应用了许多年，工艺比较成熟。缺点:发光效率还不够高老化问题致色温漂移,低色温难,CRI比较低(70-80) 白光照明领域的专利情况 国内外研究现状 Nichia： 技术特点: 凹凸蓝宝石衬底上生长外延片，运用Rh金属基微结构网状透明导电薄膜技术. 最新技术指标: 06.12.20，公布其开发出了发光效率150lm/W的白色LED。色温为4600K,CRI为95。 Lumiled：倒装焊技术结合金属基全方位反射层技术。07.1.23宣布其基于芯片的大功率白光LED（尺寸1mm x1 mm）首次突破100lm/W大关：在1.2w 350 mA下, 光效 115lm/W（光通量为136lm）、相关色温(CCT) 4685K；2000mA下，光通量达502lm，光效为61lm/W。 OSRAM：激光剥离，表面微结构化和使用全反射镜技术。2007年初推出了Dragon系列高亮度单芯片高功率发光二极管，在接通700mA工作电流时出射的白光通量为75lm，其工作电流最高可达1A 。350mA时发光效率为45lm/w. 国内研究现状 Cree： SiC衬底材料，改变芯片截面形状厚度和出光方向来大幅度减少光的内反射率，提高出光效率等驱动电流为350mA时亮度标准达57lm的高输出功率白色发光二极管(LED)XLamp 7090，其发光效率为47lm/w. Seoul：最新的P4芯片在350mA电流驱动下发光效率达100lm/W以上（已经面市），到2008年预期达到145lm/W。通过采用独有的荧光体材料和封装技术 。 方大：1W40mil的芯片350mA下：倒装结构的可达20－50流明/瓦。正装结构采用ITO透明导电电极的可达20－40流明/瓦 晶能光电 ：完全拥有以si为衬底做LED的知识产权,已动工建设,总投资到7000万美金. 目前存在的主要技术问题 发光效率:要求达到100lm/w目前市场上大功率LED发光效率大多数为40－80lm/W左右。它主要包括高质量的GaN材料、光的提取效率、荧光粉的转换效率。 散热问题:温升会使发光效率大幅下跌、器件的稳定性、进而影响寿命。 显色指数：要求达80以上，开发更好的荧光粉。和四基色、五基色白光LED。 研究重点 通过改变电极的形状来实现电流的更好的均匀扩展。 如何改进ITO电极的表面形貌来，减少光在芯片内部的反射和吸收，提高光的提取效率。 利用所里的磁控溅射得到高性能的ITO膜。 采用倒装结构。使得功率型的LED在光提取上、电流扩展上、散热上都有明显的改善。 已做过的科研工作 1.LED电极制作的光刻工艺： 内容：清洗，匀胶，前烘，曝光（对板），显影，坚膜，镀膜，去胶（剥离）。 仪器：超声清洗机，匀胶机，光刻机，烘箱。 2.磁控溅射镀膜工艺： 内容：熟练掌握整个系统的操作：抽真空.进样.充溅射气体.起辉.镀膜等。 仪器：沈阳中国科学院仪器厂的JGP560D型超高真空多功能磁控溅射仪。 3.退火，PECVD,RIE刻蚀等工艺： 内容：完成这些工艺所需仪器的操作。 仪器:退火炉,OXFORD PECVD,OXFORD RIE。 已做过的科研工作 4.测试工艺： 包括：方块电阻，透光率，膜结晶状况，载流子迁移率等参数测量。 仪器：D41-1B/2M型微控四探针测试仪，分光光度计，XRD，VECCO台阶轮廓仪、 霍尔测试仪 。 5.配合工作：往届的师兄师姐做过Ni/Au的 P型GaN的欧姆接触。其他课题组的一些研究工作、外面几家单位的在所里的一些工作。 实验方案（一） 通过改变电极的形状来实现电流的更好的均匀扩展。利用RIE刻蚀技术实现一些新型的电极结构。再比