半导体物理2013(第三章)祥解.pptVIP

* 3.4.4 费米能级与杂质浓度和温度的关系 E T 0 ⒈杂质浓度一定时，费米能级随温度的变化关系 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程，相应地费米能级从杂质能级附近逐渐移近禁带中线处。 根据在本节中得到的费米能级的公式以及它们与温度的关系的讨论,可以得出在整个温度范围内费米能级随温度的变化规律.对于N型和P型半导体,图中给出杂质浓度一定时EF随温度变化的示意图. 对于N型半导体, 当杂质浓度一定时，随着温度的升高，费米能级从施主能级以上移动到施主能级以下，最终下降到禁带中线处；对于P型半导体,当杂质浓度一定时，随着温度的升高，费米能级从受主能级以下逐渐上升到禁带中线处。 ⒉当温度一定时，费米能级随杂质浓度的变化关系 当温度一定时，费米能级的位置由杂质浓度所决定，如下图所示。 3.4.4 费米能级与杂质浓度和温度的关系 对于N型半导体,费米能级位于禁带中线以上，在同一温度下,施主浓度越大，费米能级的位置越高,由禁带中线逐渐向导带底靠近。 对于P型半导体,费米能级位于禁带中线以下，在同一温度下，受主浓度越大,费米能级的位置越低,由禁带中线逐渐向价带顶靠近。 由上可知，当温度一定时，费米能级随杂质浓度的变化的规律如下： 小结：求解含一种杂质的热平衡半导体载流子浓度的思路： 对只含一种杂质的半导体： ⒈首先判断半导体所处的温度区域（四个）—— 杂质弱电离区、饱和电离区、过渡区、本征激发区 如何判断？ ⒉写出电中性条件； ⒊利用该温度区域的载流子浓度计算公式求解。 例题解析二 掺入某种浅受主杂质的P型Si，若ni、NA、Nv、T作为已知数，求费米能级EF分别位于以下三种情况时，半导体的多子和少子浓度。 ⑴ EF位于EA位置； 公式 ⑵ EF位于EA之上10k0T处； ⑶ EF位于禁带中心位置。 例题解析三： 室温下，半导体Si掺有浓度为1×1015cm－3的磷，则多子浓度约为（ ），少子浓度为（ ），费米能级（ ）于Ei；将该半导体升温至570K，则多子浓度约为（ ），少子浓度为（ ），费米能级（ ）于Ei；继续将半导体升温到800K时，则多子浓度为（ ），少子浓度为（ ），费米能级（ ）于Ei。 已知：室温下， 570K时， 800K时， 3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.1 电中性条件 同时含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件为 这样的半导体中存在杂质补偿现象，即使在极低的温度下,浓度小的杂质也全部是电离的,这使得电中性条件中的nD或pA项为零. ⒈在NDNA的半导体中 全部受主都是电离的,电中性条件简化为 在杂质电离的温度范围内,导带电子全部来自电离的施主,在施主能级上和在导带中总的电子浓度是ND-NA,这种半导体称为部分补偿的半导体.ND-NA称为有效的施主浓度，其与只含一种施主杂质，施主浓度为ND-NA的半导体类似。 ⒉在NAND的P型半导体中 全部施主都是电离的,电中性条件简化为 ⒊在NA=ND的半导体中 全部施主上的电子刚好使所有的受主电离,能带中的载流子只能由本征激发产生，这种半导体被称为完全补偿的半导体。 这种情况同只含一种受主杂质，杂质浓度为NA-ND的情况一样。 3.5.2 N型半导体(NDNA) ⒈杂质弱电离情况下：(温度很低时) NDNA，则受主完全电离，pA=0 由于本征激发可以忽略，则电中性条件为 则 或改写为 在非简并情况下,有 式中Ec-Ed是施主电离能。此式就是半导体处于杂质电离区的电子浓度方程. 1 2 讨论: ⑴极低温区电离情况，假定NDNA 在极低的温度下，电离施主提供的电子，除了填满NA个受主以外，激发到导带的电子只是极少数，即n0NA，于是有 将其代入电子浓度公式中，得出费米能级EF为 在这种情况下，当温度趋向于0K时，EF与ED重合。在极低的温度范围内，随着温度的升高，费米能级线性地上升. 这种情况与只含一种施主杂质ND时一致，这种条件下，施主主要是向导带提供电子，少量受主的作用可以忽略，此时费米能级也在施主能级ED之上变化。 ⑵当温度继续上升,进入NAn0ND的温度范围内 上式简化为 此时的费米能级的为: ⒉杂质饱和电离情况:(T在几百K，且ND-NAni ) 当温度升高使施主全部电离，所提供的ND个电子，除了填满NA个受主外,其余全部激发到导带，半导体进入饱和电离区（强电离区），本征激发可忽略