GaN基LED的关键技术分析研究.pdfVIP

摘要 摘 要 GaN基LED作为一种新型的固态光源，具有低功耗，长寿命，高发光效率等 优点，在显示、照明、指示方面发挥着越来越大的作用。尽管GaN基LED具有许 多性能上的优点，但是仍然有许多的问题有待解决，例如p-GaN材料的激活，P 型透明电极的制备以及器件可靠性的相关研究。本文研究了GaN基LED制备过程 中的关键工艺，器件电学特性的退化以及影响器件发光特性的内在机制，为制备 高亮度GaN基蓝光LED铺平了道路。主要的研究工作和成果如下： 1．充分考虑H在GaN材料中可能发生的反应，并对其中的可逆反应进行了深 入的讨论。结合p-GaN中H通过补偿受主杂质从而影响P型掺杂浓度的作用机制， 对n．GaN材料中H的作用机制进行完善和扩展。 2．研究了在空气和氮气中p-GaN材料的退火实验，实验表明，在氮气中退火 后，P．GaN材料中大量的H还会留在体内，只是在退火后会形成某种含H稳定物， 而这种含H稳定物在受到外界热应力的作用下分解，从而使Mg—H络合物重新生 成，导致p-GaN材料的微分电阻的增大。而在空气中退火后，大部分的H从材料 体内析出，导致材料内的H含量显著的减少，所以能够形成的含H稳定物也就更 少，因此其微分电阻基本不受外界热应力的影响。 3．讨论了GaN基LED制备过程中的关键工艺，系统阐述了欧姆接触的制备， 研究了不同退火气氛中Ni／Au欧姆接触的退火模型，并进行了分类、总结。对空 气中退火的Ni／Au电极进行了微结构分析。通过实验证实了Ni和Au在P型欧姆 接触中所起的作用是不同的，分析发现，Ni的作用是形成欧姆接触，而Au的作 用是提供传导路径，从而提高Ni／Au薄膜的传导性。 4。研究了小电流下GaN基LED的I．V特性，进一步完善了传统的扩散一复合 理论，提出了空穴引起的隧穿电流模型。研究了大电流应力下GaN基LED的退化， 分析发现，亚阈值区电流的退化是由浅能级缺陷引起的。P．GaN表面在电应力作 用下出现裂纹，直接影响到P型电极表面形貌，导致串连电阻增大，从而引起正 向导通区的退化。通过对反向截至区的退化研究发现，小反偏压下的退化主要是 由缺陷辅助隧穿引起，而大反偏压下的退化主要是由带间直接隧穿引起。 5．研究了GaN基LED器件结构和材料特性之间的关系，通过EL谱分析，发 现了材料极化场与载流子屏蔽效应之间相互竞争的关系，此外，还研究了热效应 对GaN基LED峰值波长的影响。 关键词：GaN基lED，退火，Ni／Au欧姆接触，退化，极化场 垒!!!!呈壁 三 Abstract state LEDshave Asanew ofsolid source，GaN—based type light low·power, luminescence will an advantages．Itplay increasingly long．1ife，high efficiency in and the of role instructions．Althoughperformances important display,light havebeenstill issuestobe GaN．basedLEDshave advantages，there many yet many activationof alectrodeandthe resolved．For